Компоненты группы IGBT-транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В
Рабочий ток VCE(sat)
В
td(on) (тип.)
нс
tr (тип.)
нс
td(off) (тип.)
нс
tf (тип.)
нс
EON (тип.)
мДж
EOFF (тип.)
мДж
PD
Вт
FWD TA
°C
Корпус
IC
А
При TC
°C
                                     
STGD10NC60S Быстрый IGBT-транзистор на 600 В, 10 А STMicroelectronics IGBT
600 10 100 1.65 19 4 160 205 50 290 60 Нет -55 ... -150 D-PAK
STGD8NC60K N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 8 А семейства PowerMESH™ с защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 8 100 2.75 17 6 72 82 55 85 62 Нет -55 ... -150 D-PAK
STGD7NB60S N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 7 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
600 7 100 1.6 700 460 - 1200 0.4 3.5 55 Нет -65 ... -150 D-PAK
STGB20NC60V Высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 30 А STMicroelectronics IGBT
600 30 100 2.5 31 11 100 75 220 330 200 Нет -55 ... -150 D2-PAK
STGB10HF60KD IGBT-транзистор на 600 В, 10 А, с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 10 100 1.6 - - - - - - 80 Да -40 ... 175 D2-PAK
STGB10NB37LZ IGBT-транзистор 10 А, 410 В, внутренне-замкнутый STMicroelectronics IGBT
410 10 100 1.3 1300 270 8000 1400 2.4 5 125 Нет -65 ... 175 D2-PAK
STGB19NC60KD IGBT-транзистор на 600 В, 20 А с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 20 100 2.75 30 8 105 85 165 255 125 Да -55 ... -150 D2-PAK
STGB20NB37LZ IGBT-транзистор на 400 В, 20 А STMicroelectronics IGBT
400 20 100 1.35 2300 600 2000 11500 8800 11800 200 Нет -55 ... 175 D2-PAK
STGBL6NC60DI Ультрабыстрый IGBT-транзистор на 600 В, 6 А STMicroelectronics IGBT
600 6 100 2.9 6.7 3.7 46 47 32 24 56 Да -55 ... -150 D2-PAK
STGB20NB41LZ IGBT-транзистор на 410 В, 20 А STMicroelectronics IGBT
412 20 100 1.3 1000 220 12100 1600 5 12.9 200 Нет -55 ... 175 D2-PAK
STGB8NC60KD IGBT-транзистор на 600 В, 8 А с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 8 100 2.75 17 6 72 82 55 85 65 Да -55 ... -150 D2-PAK
STGB19NC60HD Ультрабыстрый IGBT-транзистор на 600 В, 19 А STMicroelectronics IGBT
600 19 100 2.5 25 7 97 73 85 189 130 Да -55 ... -150 D2-PAK
STGB10NB40LZ IGBT-транзистор на 410 В, 20 А STMicroelectronics IGBT
410 10 100 1.2 1300 270 8000 1400 2.4 5 150 Нет -55 ... 175 D2-PAK
STGB35N35LZ IGBT-транзистор на 345 В, 30 А STMicroelectronics IGBT
345 30 100 1.3 1100 700 26500 5500 - - 176 Нет -55 ... 175 D2-PAK
I2PAK
STGB14NC60K 600 В, 14 А, IGBT-транзистор семейcтва PowerMESH™ с защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 14 100 2.5 22.5 8.5 116 75 82 155 80 Нет -55 ... -150 D2-PAK
STGB30NC60K IGBT-транзистор на 600 В, 30 А с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 26 100 2.7 29 12 120 85 350 435 185 Нет -55 ... -150 D2-PAK
STGB18N40LZ IGBT-транзистор на 390 В, 30 А STMicroelectronics IGBT
390 30 100 1.3 650 3500 13500 5500 - - 150 Нет -55 ... 175 D2-PAK
I2PAK
STGB7NC60HD N-канальный, высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 14 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
600 14 100 2.5 18.5 8.5 72 60 95 115 80 Да -55 ... -150 D2-PAK
STGB10NC60K 600 В, 10 А, IGBT-транзистор семейтсва PowerMESH™ с защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 10 100 1.8 17 6 72 82 55 85 60 Нет -55 ... 150 D2-PAK
STGB19NC60S Быстрый IGBT-транзистор на 600 В, 20 А STMicroelectronics IGBT
600 20 100 1.9 17.5 6.2 175 215 135 815 125 Нет -55 ... -150 D2-PAK
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 50 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019