Компоненты группы IGBT-транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VCES В |
Рабочий ток | VCE(sat) В |
td(on) (тип.) нс |
tr (тип.) нс |
td(off) (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
EON (тип.) мДж |
EOFF (тип.) мДж |
PD Вт |
FWD | TA °C |
Корпус | ||
| IC А |
При TC °C |
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| FGY120T65S_F085 | IGBT-транзистор на 650 В / 120 А, выполненный по технологии Field Stop Trench, с быстровосстанавливающимся встречно-параллельным диодом |
|
Fairchild Semiconductor |
IGBT |
650 | 220 | 100 | 1.85 | 53 | 134 | 102 | 115 | 6.8 | 3.5 | 862 | Да | -55 ... 175 |
|
| IFS100V12PT4 | IGBT-модуль в конфигурации sixpack семейства MIPAQ™ |
|
Infineon Technologies |
IGBT |
1200 | 100 | 100 | 2.15 | - | - | - | - | 10.2 | 8 | - | Нет | -40 ... 65 |
|
| IFS150V12PT4 | IGBT-модуль в конфигурации sixpack семейства MIPAQ™ |
|
Infineon Technologies |
IGBT |
1200 | 150 | 100 | 2.15 | 40 | - | 500 | - | 15 | 13.9 | - | Нет | -40 ... 65 |
|
| IFS200V12PT4 | IGBT-модуль в конфигурации sixpack семейства MIPAQ™ |
|
Infineon Technologies |
IGBT |
1200 | 200 | 100 | 2.15 | 40 | - | 500 | - | 21.3 | 20 | - | Нет | -40 ... 65 |
|
| IRGPS4067D | Биполярные транзисторы с изолированным затвором со встроенным ограничительным диодом с накоплением заряда |
|
International Rectifier (IRF) |
IGBT |
600 | 160 | 100 | 1.7 | 80 | 70 | 190 | 40 | 5.75 | 3.43 | 750 | Да | -55 ... 175 |
|
| IXXK160N65C4 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 160 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) |
|
IXYS |
IGBT |
650 | 160 | 110 | 2.1 | 52 | 67 | 197 | 30 | 3.5 | 1.3 | 940 | Нет | -55 ... 175 |
|
| IXGX120N60B3 | IGBT-транзистор, 600 В, 120А, частота коммутации 5...40 кГц |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 120 | 110 | 1.5 | 38 | 85 | 290 | 230 | 4 | 4.7 | 780 | Нет | -55 ... 150 |
|
| T0800TB45E | Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 800 А с технологией Press-Pack |
|
IXYS |
IGBT |
4500 | 800 | - | 2.8 | 2000 | 4000 | 4500 | 2100 | 7000 | 4300 | 6400 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W44 |
| IXXX200N60C3 | IGBT-транзистор, 600 В, 200 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 200 | 110 | 1.6 | 47 | 96 | 150 | 90 | 4 | 2.1 | 1630 | Нет | -55 ... 175 |
|
| T0258HF65G | Press-Pack IGBT транзистор |
|
IXYS |
IGBT |
6500 | 258 | 25 | 3.6 | 1700 | 3500 | 5000 | 2200 | 1800 | 1450 | 3000 | Да | -40 ... 125 | - |
| IXGN400N60A3 | IGBT-транзистор, 600 В, 400А |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 190 | 110 | 1.05 | 27 | 98 | 190 | 650 | - | - | 830 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXYK120N120C3 | IGBT-транзистор, 1200 В, 120 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц |
|
IXYS |
IGBT |
1200 | 120 | 110 | 3.5 | 37 | 70 | 167 | 90 | 6.2 | 4.2 | 1500 | Нет | -55 ... 175 |
|
| IXGX120N60B | IGBT-транзистор, 600 В, 120А |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 120 | 90 | 2.1 | 60 | 60 | 290 | 250 | 4.8 | 8.7 | 660 | Нет | -55 ... 150 |
|
| T0360NB25A | Высоковольтные IGBT транзисторы 2500В, 360 А с технологией Press-Pack |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 360 | - | 2.1 | 950 | 2000 | 1300 | 7500 | 850 | 600 | 1800 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W40 |
| IXXK100N60C3H1 | IGBT-транзистор, 600 В, 100 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 100 | 90 | 1.68 | 30 | 65 | 105 | 115 | 3 | 1.4 | 695 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXXX160N65B4 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 160 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) |
|
IXYS |
IGBT |
650 | 160 | 110 | 1.8 | 52 | 64 | 220 | 90 | 3.3 | 1.88 | 940 | Нет | -55 ... 175 |
|
| IXGN200N60B3 | IGBT-транзистор, 600 В, 200А, частота коммутации 5...40 кГц |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 200 | 110 | 1.35 | 42 | 80 | 430 | 300 | 2.4 | 4.2 | 830 | Нет | -55 ... 150 |
|
| T0800EB45G | Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 800 А с технологией Press-Pack |
|
IXYS |
IGBT |
4500 | 800 | - | 2.8 | 2000 | 3000 | 1600 | 2100 | 4100 | 4500 | 6600 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W44 |
| IXXK200N60B3 | IGBT-транзистор, 600 В, 200 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 10...30 кГц |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 200 | 110 | 1.4 | 46 | 94 | 180 | 215 | 4.4 | 3.45 | 1630 | Нет | -55 ... 175 |
|
| T0900DF65A | Press-Pack IGBT транзистор |
|
IXYS |
IGBT |
6500 | 900 | 25 | 3.6 | 1600 | 3100 | 4500 | 2300 | 6500 | 5300 | 10600 | Да | -40 ... 125 | - |
