Компоненты группы IGBT-транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VCES В |
Рабочий ток | VCE(sat) В |
td(on) (тип.) нс |
tr (тип.) нс |
td(off) (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
EON (тип.) мДж |
EOFF (тип.) мДж |
PD Вт |
FWD | TA °C |
Корпус | ||
| IC А |
При TC °C |
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IXXK160N65C4 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 160 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) |
|
IXYS |
IGBT |
650 | 160 | 110 | 2.1 | 52 | 67 | 197 | 30 | 3.5 | 1.3 | 940 | Нет | -55 ... 175 |
|
| IXXX160N65C4 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 160 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) |
|
IXYS |
IGBT |
650 | 160 | 110 | 2.1 | 52 | 67 | 197 | 30 | 3.5 | 1.3 | 940 | Нет | -55 ... 175 |
|
| IXXK110N65B4H1 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 110 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) |
|
IXYS |
IGBT |
650 | 110 | 110 | 2.1 | 38 | 46 | 156 | 85 | 2.2 | 1.05 | 880 | Да | -55 ... 175 |
|
| IXXX110N65B4H1 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 110 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) |
|
IXYS |
IGBT |
650 | 110 | 110 | 2.1 | 38 | 46 | 156 | 85 | 2.2 | 1.05 | 880 | Да | -55 ... 175 |
|
| IXXH110N65C4 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 110 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) |
|
IXYS |
IGBT |
650 | 110 | 110 | 2.35 | 35 | 46 | 143 | 30 | 2.3 | 0.6 | 880 | Нет | -55 ... 175 |
|
| IXXN110N65B4H1 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 110 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) |
|
IXYS |
IGBT |
650 | 110 | 110 | 2.1 | 38 | 46 | 156 | 85 | 2.2 | 1.05 | 750 | Да | -55 ... 175 |
|
| IXXN110N65C4H1 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 110 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) |
|
IXYS |
IGBT |
650 | 110 | 110 | 2.35 | 35 | 46 | 143 | 30 | 2.3 | 0.6 | 750 | Да | -55 ... 175 |
|
| IXYX120N120C3 | IGBT-транзистор, 1200 В, 120 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц |
|
IXYS |
IGBT |
1200 | 120 | 110 | 3.5 | 37 | 70 | 167 | 90 | 6.2 | 4.2 | 1500 | Нет | -55 ... 175 |
|
| IXYK120N120C3 | IGBT-транзистор, 1200 В, 120 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц |
|
IXYS |
IGBT |
1200 | 120 | 110 | 3.5 | 37 | 70 | 167 | 90 | 6.2 | 4.2 | 1500 | Нет | -55 ... 175 |
|
| IRGPS4067D | Биполярные транзисторы с изолированным затвором со встроенным ограничительным диодом с накоплением заряда |
|
International Rectifier (IRF) |
IGBT |
600 | 160 | 100 | 1.7 | 80 | 70 | 190 | 40 | 5.75 | 3.43 | 750 | Да | -55 ... 175 |
|
| FGY120T65S_F085 | IGBT-транзистор на 650 В / 120 А, выполненный по технологии Field Stop Trench, с быстровосстанавливающимся встречно-параллельным диодом |
|
Fairchild Semiconductor |
IGBT |
650 | 220 | 100 | 1.85 | 53 | 134 | 102 | 115 | 6.8 | 3.5 | 862 | Да | -55 ... 175 |
|
| IXXX200N60B3 | IGBT-транзистор, 600 В, 200 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 10...30 кГц |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 200 | 110 | 1.4 | 46 | 94 | 180 | 215 | 4.4 | 3.45 | 1630 | Нет | -55 ... 175 |
|
| IXXK200N60B3 | IGBT-транзистор, 600 В, 200 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 10...30 кГц |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 200 | 110 | 1.4 | 46 | 94 | 180 | 215 | 4.4 | 3.45 | 1630 | Нет | -55 ... 175 |
|
| IXXX200N60C3 | IGBT-транзистор, 600 В, 200 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 200 | 110 | 1.6 | 47 | 96 | 150 | 90 | 4 | 2.1 | 1630 | Нет | -55 ... 175 |
|
| IXXK200N60C3 | IGBT-транзистор, 600 В, 200 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 200 | 110 | 1.6 | 47 | 96 | 150 | 90 | 4 | 2.1 | 1630 | Нет | -55 ... 175 |
|
| IXXH100N60B3 | IGBT-транзистор, 600 В, 100 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 10...30 кГц |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 100 | 110 | 1.5 | 32 | 60 | 150 | 200 | 2.3 | 2.8 | 830 | Нет | -55 ... 175 |
|
| IXXK200N65B4 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 200 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) |
|
IXYS |
IGBT |
650 | 200 | 110 | 1.7 | 62 | 76 | 245 | 80 | 4.4 | 2.2 | 1150 | Нет | -55 ... 175 |
|
| IXXH100N60C3 | IGBT-транзистор, 600 В, 100 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 100 | 110 | 1.68 | 30 | 65 | 105 | 115 | 3 | 1.4 | 830 | Нет | -55 ... 175 |
|
| IXXX200N65B4 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 200 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) |
|
IXYS |
IGBT |
650 | 200 | 110 | 1.7 | 62 | 76 | 245 | 80 | 4.4 | 2.2 | 1150 | Нет | -55 ... 175 |
|
| IXXK160N65B4 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 160 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) |
|
IXYS |
IGBT |
650 | 160 | 110 | 1.8 | 52 | 64 | 220 | 90 | 3.3 | 1.88 | 940 | Нет | -55 ... 175 |
|
