Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
IRGPS4067D Биполярные транзисторы с изолированным затвором со встроенным ограничительным диодом с накоплением заряда International Rectifier (IRF) IGBT
 600 160 100 1.7 80 70 190 40 5.75 3.43 750 Да -55 ... 175 TO-274AA
IXXK160N65C4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 160 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 160 110 2.1 52 67 197 30 3.5 1.3 940 Нет -55 ... 175 TO-264
IXYK120N120C3 IGBT-транзистор, 1200 В, 120 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц IXYS IGBT
 1200 120 110 3.5 37 70 167 90 6.2 4.2 1500 Нет -55 ... 175 TO-264
IXXK100N60C3H1 IGBT-транзистор, 600 В, 100 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц IXYS IGBT
 600 100 90 1.68 30 65 105 115 3 1.4 695 Да -55 ... 150 TO-264
IXXK200N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 200 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 10...30 кГц IXYS IGBT
 600 200 110 1.4 46 94 180 215 4.4 3.45 1630 Нет -55 ... 175 TO-264
IXGK120N60A3 IGBT-транзистор, 600 В, 120А IXYS IGBT
 600 120 110 1.2 40 83 420 410 3.5 10.4 780 Нет -55 ... 150 TO-264
IXXK160N65B4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 160 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 160 110 1.8 52 64 220 90 3.3 1.88 940 Нет -55 ... 175 TO-264
IXGK320N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 320А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
 600 320 90 1.4 40 67 330 265 3.5 5.4 1700 Нет -55 ... 150 TO-264
IXGK120N120B3 IGBT-транзистор, 1200 В, 120А, частота коммутации 3...20 кГц IXYS IGBT
 1200 120 90 2.4 34 88 315 570 6.1 10.3 830 Нет -55 ... 150 TO-264
IXGK120N60C2 IGBT-транзистор, 600 В, 120А IXYS IGBT
 600 120 110 2.1 40 60 165 92 2.1 1.24 830 Нет -55 ... 150 TO-264
IXXK100N60B3H1 IGBT-транзистор, 600 В, 100 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 10...30 кГц IXYS IGBT
 600 100 90 1.5 32 60 150 200 2.3 2.8 695 Да -55 ... 150 TO-264
IXXK200N65B4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 200 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 200 110 1.7 62 76 245 80 4.4 2.2 1150 Нет -55 ... 175 TO-264
IXGK320N60A3 IGBT-транзистор, 600 В, 320А IXYS IGBT
 600 210 110 1.05 62 67 330 1540 - - 1000 Нет -55 ... 150 TO-264
IXGK120N120A3 IGBT-транзистор, 1200 В, 120А IXYS IGBT
 1200 120 110 1.85 30 75 685 680 15 58 830 Нет -55 ... 150 TO-264
IXGK100N170 IGBT-транзистор, 1700 В, 100А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 100 90 2.5 35 250 285 435 - - 830 Нет -55 ... 150 TO-264
IXXK110N65B4H1 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 110 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 110 110 2.1 38 46 156 85 2.2 1.05 880 Да -55 ... 175 TO-264
IXGK120N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 120А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
 600 120 110 1.5 38 85 290 230 4 4.7 780 Нет -55 ... 150 TO-264
IXXK200N60C3 IGBT-транзистор, 600 В, 200 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц IXYS IGBT
 600 200 110 1.6 47 96 150 90 4 2.1 1630 Нет -55 ... 175 TO-264
IXGK120N60B IGBT-транзистор, 600 В, 120А IXYS IGBT
 600 120 90 2.1 60 60 290 250 4.8 8.7 660 Нет -55 ... 150 TO-264
IXXH100N60C3 IGBT-транзистор, 600 В, 100 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц IXYS IGBT
 600 100 110 1.68 30 65 105 115 3 1.4 830 Нет -55 ... 175 TO-247AD
Страницы: 1 2 3 4 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники