Компоненты группы IGBT-транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В
Рабочий ток VCE(sat)
В
td(on) (тип.)
нс
tr (тип.)
нс
td(off) (тип.)
нс
tf (тип.)
нс
EON (тип.)
мДж
EOFF (тип.)
мДж
PD
Вт
FWD TA
°C
Корпус
IC
А
При TC
°C
                                     
IXGN400N60A3 IGBT-транзистор, 600 В, 400А IXYS IGBT
600 190 110 1.05 27 98 190 650 - - 830 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IXGN320N60A3 IGBT-транзистор, 600 В, 320А IXYS IGBT
600 170 110 1.05 62 77 330 1540 - - 735 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IXGX320N60A3 IGBT-транзистор, 600 В, 320А IXYS IGBT
600 210 110 1.05 62 67 330 1540 - - 1000 Нет -55 ... 150 PLUS247
IXGK320N60A3 IGBT-транзистор, 600 В, 320А IXYS IGBT
600 210 110 1.05 62 67 330 1540 - - 1000 Нет -55 ... 150 TO-264
IXGX100N170 IGBT-транзистор, 1700 В, 100А, технология NPT IXYS IGBT
1700 100 90 2.5 35 250 285 435 - - 830 Нет -55 ... 150 PLUS247
IXGK100N170 IGBT-транзистор, 1700 В, 100А, технология NPT IXYS IGBT
1700 100 90 2.5 35 250 285 435 - - 830 Нет -55 ... 150 TO-264
IXGX120N60C2 IGBIGBT-транзистор, 600 В, 120А IXYS IGBT
600 120 110 2.1 40 60 165 92 2.1 1.24 830 Нет -55 ... 150 PLUS247
IXGK120N60C2 IGBT-транзистор, 600 В, 120А IXYS IGBT
600 120 110 2.1 40 60 165 92 2.1 1.24 830 Нет -55 ... 150 TO-264
IXXK110N65B4H1 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 110 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
650 110 110 2.1 38 46 156 85 2.2 1.05 880 Да -55 ... 175 TO-264
IXXX110N65B4H1 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 110 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
650 110 110 2.1 38 46 156 85 2.2 1.05 880 Да -55 ... 175 PLUS247
IXXN110N65B4H1 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 110 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
650 110 110 2.1 38 46 156 85 2.2 1.05 750 Да -55 ... 175 SOT-227 B
IXXH110N65C4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 110 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
650 110 110 2.35 35 46 143 30 2.3 0.6 880 Нет -55 ... 175 TO-247AD
IXXN110N65C4H1 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 110 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
650 110 110 2.35 35 46 143 30 2.3 0.6 750 Да -55 ... 175 SOT-227 B
IXXH100N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 100 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 10...30 кГц IXYS IGBT
600 100 110 1.5 32 60 150 200 2.3 2.8 830 Нет -55 ... 175 TO-247AD
IXXX100N60B3H1 IGBT-транзистор, 600 В, 100 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 10...30 кГц IXYS IGBT
600 100 90 1.5 32 60 150 200 2.3 2.8 695 Да -55 ... 150 PLUS247
IXXK100N60B3H1 IGBT-транзистор, 600 В, 100 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 10...30 кГц IXYS IGBT
600 100 90 1.5 32 60 150 200 2.3 2.8 695 Да -55 ... 150 TO-264
IXGN200N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 200А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
600 200 110 1.35 42 80 430 300 2.4 4.2 830 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IXGB200N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 200А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
600 200 110 1.35 42 80 430 300 2.4 4.2 1250 Нет -55 ... 150 PLUS264
IXGN200N60A2 IGBT-транзистор, 600 В, 200А, оптимизированный для частоты коммутации выше 5кГц IXYS IGBT
600 100 110 1.2 60 60 290 660 3 12 700 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IXXH100N60C3 IGBT-транзистор, 600 В, 100 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц IXYS IGBT
600 100 110 1.68 30 65 105 115 3 1.4 830 Нет -55 ... 175 TO-247AD
Страницы: 1 2 3 4 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019