Компоненты группы IGBT-транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VCES В |
Рабочий ток | VCE(sat) В |
td(on) (тип.) нс |
tr (тип.) нс |
td(off) (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
EON (тип.) мДж |
EOFF (тип.) мДж |
PD Вт |
FWD | TA °C |
Корпус | ||
IC А |
При TC °C |
|||||||||||||||||
IXGN400N60A3 | IGBT-транзистор, 600 В, 400А | IXYS |
IGBT |
600 | 190 | 110 | 1.05 | 27 | 98 | 190 | 650 | - | - | 830 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXGN320N60A3 | IGBT-транзистор, 600 В, 320А | IXYS |
IGBT |
600 | 170 | 110 | 1.05 | 62 | 77 | 330 | 1540 | - | - | 735 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXGX320N60A3 | IGBT-транзистор, 600 В, 320А | IXYS |
IGBT |
600 | 210 | 110 | 1.05 | 62 | 67 | 330 | 1540 | - | - | 1000 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXGK320N60A3 | IGBT-транзистор, 600 В, 320А | IXYS |
IGBT |
600 | 210 | 110 | 1.05 | 62 | 67 | 330 | 1540 | - | - | 1000 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXGX100N170 | IGBT-транзистор, 1700 В, 100А, технология NPT | IXYS |
IGBT |
1700 | 100 | 90 | 2.5 | 35 | 250 | 285 | 435 | - | - | 830 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXGK100N170 | IGBT-транзистор, 1700 В, 100А, технология NPT | IXYS |
IGBT |
1700 | 100 | 90 | 2.5 | 35 | 250 | 285 | 435 | - | - | 830 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXGX120N60C2 | IGBIGBT-транзистор, 600 В, 120А | IXYS |
IGBT |
600 | 120 | 110 | 2.1 | 40 | 60 | 165 | 92 | 2.1 | 1.24 | 830 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXGK120N60C2 | IGBT-транзистор, 600 В, 120А | IXYS |
IGBT |
600 | 120 | 110 | 2.1 | 40 | 60 | 165 | 92 | 2.1 | 1.24 | 830 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXXK110N65B4H1 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 110 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) | IXYS |
IGBT |
650 | 110 | 110 | 2.1 | 38 | 46 | 156 | 85 | 2.2 | 1.05 | 880 | Да | -55 ... 175 |
|
|
IXXX110N65B4H1 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 110 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) | IXYS |
IGBT |
650 | 110 | 110 | 2.1 | 38 | 46 | 156 | 85 | 2.2 | 1.05 | 880 | Да | -55 ... 175 |
|
|
IXXN110N65B4H1 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 110 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) | IXYS |
IGBT |
650 | 110 | 110 | 2.1 | 38 | 46 | 156 | 85 | 2.2 | 1.05 | 750 | Да | -55 ... 175 |
|
|
IXXH110N65C4 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 110 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) | IXYS |
IGBT |
650 | 110 | 110 | 2.35 | 35 | 46 | 143 | 30 | 2.3 | 0.6 | 880 | Нет | -55 ... 175 |
|
|
IXXN110N65C4H1 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 110 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) | IXYS |
IGBT |
650 | 110 | 110 | 2.35 | 35 | 46 | 143 | 30 | 2.3 | 0.6 | 750 | Да | -55 ... 175 |
|
|
IXXH100N60B3 | IGBT-транзистор, 600 В, 100 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 10...30 кГц | IXYS |
IGBT |
600 | 100 | 110 | 1.5 | 32 | 60 | 150 | 200 | 2.3 | 2.8 | 830 | Нет | -55 ... 175 |
|
|
IXXX100N60B3H1 | IGBT-транзистор, 600 В, 100 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 10...30 кГц | IXYS |
IGBT |
600 | 100 | 90 | 1.5 | 32 | 60 | 150 | 200 | 2.3 | 2.8 | 695 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXXK100N60B3H1 | IGBT-транзистор, 600 В, 100 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 10...30 кГц | IXYS |
IGBT |
600 | 100 | 90 | 1.5 | 32 | 60 | 150 | 200 | 2.3 | 2.8 | 695 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXGN200N60B3 | IGBT-транзистор, 600 В, 200А, частота коммутации 5...40 кГц | IXYS |
IGBT |
600 | 200 | 110 | 1.35 | 42 | 80 | 430 | 300 | 2.4 | 4.2 | 830 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXGB200N60B3 | IGBT-транзистор, 600 В, 200А, частота коммутации 5...40 кГц | IXYS |
IGBT |
600 | 200 | 110 | 1.35 | 42 | 80 | 430 | 300 | 2.4 | 4.2 | 1250 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXGN200N60A2 | IGBT-транзистор, 600 В, 200А, оптимизированный для частоты коммутации выше 5кГц | IXYS |
IGBT |
600 | 100 | 110 | 1.2 | 60 | 60 | 290 | 660 | 3 | 12 | 700 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXXH100N60C3 | IGBT-транзистор, 600 В, 100 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц | IXYS |
IGBT |
600 | 100 | 110 | 1.68 | 30 | 65 | 105 | 115 | 3 | 1.4 | 830 | Нет | -55 ... 175 |
|