Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
STGE200NB60S N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 150 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
 600 150 100 1.6 64 112 2400 1230 11.7 59 600 Нет -55 ... -150 ISOTOP
IXGN400N60A3 IGBT-транзистор, 600 В, 400А IXYS IGBT
 600 190 110 1.05 27 98 190 650 - - 830 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
MMIX1G320N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 400А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
 600 180 110 1.2 40 68 330 265 3.5 5.4 1000 Нет -55 ... 150 SMD
IXGN320N60A3 IGBT-транзистор, 600 В, 320А IXYS IGBT
 600 170 110 1.05 62 77 330 1540 - - 735 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IXGX320N60A3 IGBT-транзистор, 600 В, 320А IXYS IGBT
 600 210 110 1.05 62 67 330 1540 - - 1000 Нет -55 ... 150 PLUS247
IXGK320N60A3 IGBT-транзистор, 600 В, 320А IXYS IGBT
 600 210 110 1.05 62 67 330 1540 - - 1000 Нет -55 ... 150 TO-264
IXGX320N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 320А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
 600 320 90 1.4 40 67 330 265 3.5 5.4 1700 Нет -55 ... 150 PLUS247
IXGK320N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 320А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
 600 320 90 1.4 40 67 330 265 3.5 5.4 1700 Нет -55 ... 150 TO-264
IXGN200N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 200А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
 600 200 110 1.35 42 80 430 300 2.4 4.2 830 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IXGX120N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 120А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
 600 120 110 1.5 38 85 290 230 4 4.7 780 Нет -55 ... 150 PLUS247
IRGPS4067D Биполярные транзисторы с изолированным затвором со встроенным ограничительным диодом с накоплением заряда International Rectifier (IRF) IGBT
 600 160 100 1.7 80 70 190 40 5.75 3.43 750 Да -55 ... 175 TO-274AA
IXGK120N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 120А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
 600 120 110 1.5 38 85 290 230 4 4.7 780 Нет -55 ... 150 TO-264
IXGN200N60B IGBT-транзистор, 600 В, 200А IXYS IGBT
 600 120 90 2.1 60 60 290 250 4.8 8.7 600 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IXGN200N60A2 IGBT-транзистор, 600 В, 200А, оптимизированный для частоты коммутации выше 5кГц IXYS IGBT
 600 100 110 1.2 60 60 290 660 3 12 700 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IXGN120N60A3D1 IGBT-транзистор, 600 В, 120А IXYS IGBT
 600 120 110 1.2 40 83 420 410 3.5 10.4 595 Да -55 ... 150 SOT-227 B
IXGN120N60A3 IGBT-транзистор, 600 В, 120А IXYS IGBT
 600 120 110 1.2 40 83 420 410 3.5 10.4 595 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IXGX120N60A3 IGBT-транзистор, 600 В, 120А IXYS IGBT
 600 120 110 1.2 40 83 420 410 3.5 10.4 780 Нет -55 ... 150 PLUS247
IXGK120N60A3 IGBT-транзистор, 600 В, 120А IXYS IGBT
 600 120 110 1.2 40 83 420 410 3.5 10.4 780 Нет -55 ... 150 TO-264
IXGX120N60B IGBT-транзистор, 600 В, 120А IXYS IGBT
 600 120 90 2.1 60 60 290 250 4.8 8.7 660 Нет -55 ... 150 PLUS247
IXGK120N60B IGBT-транзистор, 600 В, 120А IXYS IGBT
 600 120 90 2.1 60 60 290 250 4.8 8.7 660 Нет -55 ... 150 TO-264
Страницы: 1 2 3 4 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники