Компоненты группы RAM
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IS66WVE2M16BLL | Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 2048Kх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
2048 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| IS61WV51232ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кx32 с напряжением питания 3.3В |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 32 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| R1LV1616R-8S | 16 Mb SRAM из семейства Advanced LPSRAM (1M x 16 бит / 2M x 8 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| IS61NVP12818A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 2Мб 128Кх18 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 18 | 2.375 ... 2.75 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| AS6C6264 | Низкопотребляющая статическая память 8К х 8 |
|
Alliance Memory |
Low Power SRAM |
8 | 8 | 2.7 ... 5.5 | -40 ... 85 |
PDIP-28 |
| IDT72V04L25JI | 3.3-вольтовая асинхронная FIFO организацией 4K x 9, 25 нс, -40°C...+85°C |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| DS1230AB | Энергонезависимая SRAM емкостью 256Кб |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
32 | 8 | 4.75 ... 5.25 | -40 ... 85 |
MOD-28 PCM-34 |
| IS64WV204816BLL | Быстродействующая асинхронная статическая RAM-память объемом 32 Мбит с напряжением питания 3.3 В |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
2048 | 16 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| K6R4016C1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 256Кх16 с напряжением питания 5.0В |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS61LP6432A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 64Кх32 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
64 | 32 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| R1LV0816ABG-7SI | 8 Мб SRAM (512К х 16бит/ 1М х 8бит) семейства Advanced LPSRAM |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| IS61NLP102436A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 36Мб 1Мх36 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 36 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| AS7C1025C | Асинхронная статическая память 128Кх8 и напряжением питания 5В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IDT7200L25SOGI | Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 25 нс, -40°C...+85°C |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
SOIC-28 |
| DS1251Y | Энергонезависимая SRAM емкостью 4096Кбит со скрытыми часами реального времени |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
MOD-32 PCM-34 |
| BS616UV4016 | Сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 4Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 1.9 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS61LPD51218A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 512Кх18 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 18 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| CY62137FV30 | Статическая память объемом 2Mb |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| IS62WV20488BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 2Мх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
2048 | 8 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| R1LV1616R-7S | 16 Mb SRAM из семейства Advanced LPSRAM (1M x 16 бит / 2M x 8 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
