Компоненты группы LDMOS транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Тактовая частота: F (мин.) (МГц)
Тактовая частота: F (макс.) (МГц)
VDS (В)
P1dB (дБм)
POUT (Вт)
Gain (тип.) (дБ)
µD (%)
Согласованный
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 30 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Тактовая частота VDS
В
P1dB
дБм
POUT
Вт
Gain (тип.)
дБ
µD
%
Согласованный Корпус
F (мин.)
МГц
F (макс.)
МГц
                           
BLF8G22LS-240 Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
2110 2170 28 - 240 19 28.5 Да SOT-502B
AFT21S230-12SR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2110 2170 28 53.6 50 16.7 30.5 Да NI-780S-2L2L
BLL8H1214L-250 Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
1200 1400 50 - 250 17 55 Да SOT-502A
MRF8VP13350N Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
700 1300 50 55.4 350 20.7 67.5 Да OM-780-4L
OM-780G-4L
SD57045 Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST STMicroelectronics LDMOS транзисторы
0 945 28 - 45 18.5 65 Да M243
BLF6G38-25 WiMAX силовой радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
3400 3600 28 - 25 15 24 Да SOT-608A
MRFE6S9046GNR1 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
920 960 28 46.5 35.5 19 57 Да TO-270WB-4GULL
BLF178XRS Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
10 128 50 - 1400 23 80 Да SOT-539B
MRF7S27130HR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2500 2700 28 51.1 23 16.5 20 Да NI-780
BLP10H610 Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
10 1400 50 - 10 26.7 46 Да SOT-1352-1
BLA8G1011L-300G Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
1030 1090 32 - 300 16.5 56 Да SOT-502F
BLF7G27LS-90P Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
2500 2700 28 - 90 18.5 29 Да SOT-1121B
MRF7P20040HSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2010 2025 32 45.4 10 18.2 42.6 Да NI-780S-4
BLF884P Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
470 860 50 - 350 21 46 Да SOT-1121A
CLF1G0060S-10 Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT NXP LDMOS транзисторы
0 6000 50 - 10 18.8 48.2 Да SOT-1227B
BLF6G15L-500H Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
1400 1500 50 - 500 15 34 Да SOT-539A
AFV09P350-04GNR3 Радиочастотный LDMOS транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
720 960 48 53 100 19.5 48.5 Да OM-780G-4L
BLF8G22LS-220 Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
2110 2170 28 - 220 17 33 Да SOT-502B
AFT21S230SR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2110 2170 28 53.6 50 16.7 30.5 Да NI-780S-2L4S
BLL8H0514LS-130 Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
500 1400 50 - 130 10 54 Да SOT-1135B
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 30 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019