Компоненты группы LDMOS транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Тактовая частота | VDS В |
P1dB дБм |
POUT Вт |
Gain (тип.) дБ |
µD % |
Согласованный | Корпус | ||
F (мин.) МГц |
F (макс.) МГц |
||||||||||||
BLF8G22LS-240 | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2110 | 2170 | 28 | - | 240 | 19 | 28.5 | Да |
|
|
AFT21S230-12SR3 | Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2110 | 2170 | 28 | 53.6 | 50 | 16.7 | 30.5 | Да |
|
|
BLL8H1214L-250 | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
1200 | 1400 | 50 | - | 250 | 17 | 55 | Да |
|
|
MRF8VP13350N | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
700 | 1300 | 50 | 55.4 | 350 | 20.7 | 67.5 | Да |
|
|
SD57045 | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST | STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 945 | 28 | - | 45 | 18.5 | 65 | Да |
|
|
BLF6G38-25 | WiMAX силовой радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
3400 | 3600 | 28 | - | 25 | 15 | 24 | Да |
|
|
MRFE6S9046GNR1 | Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
920 | 960 | 28 | 46.5 | 35.5 | 19 | 57 | Да |
|
|
BLF178XRS | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
10 | 128 | 50 | - | 1400 | 23 | 80 | Да |
|
|
MRF7S27130HR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2500 | 2700 | 28 | 51.1 | 23 | 16.5 | 20 | Да |
|
|
BLP10H610 | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
10 | 1400 | 50 | - | 10 | 26.7 | 46 | Да |
|
|
BLA8G1011L-300G | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
1030 | 1090 | 32 | - | 300 | 16.5 | 56 | Да |
|
|
BLF7G27LS-90P | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2500 | 2700 | 28 | - | 90 | 18.5 | 29 | Да |
|
|
MRF7P20040HSR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2010 | 2025 | 32 | 45.4 | 10 | 18.2 | 42.6 | Да |
|
|
BLF884P | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
470 | 860 | 50 | - | 350 | 21 | 46 | Да |
|
|
CLF1G0060S-10 | Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT | NXP |
LDMOS транзисторы |
0 | 6000 | 50 | - | 10 | 18.8 | 48.2 | Да |
|
|
BLF6G15L-500H | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
1400 | 1500 | 50 | - | 500 | 15 | 34 | Да |
|
|
AFV09P350-04GNR3 | Радиочастотный LDMOS транзистор семейства AIRFAST | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
720 | 960 | 48 | 53 | 100 | 19.5 | 48.5 | Да |
|
|
BLF8G22LS-220 | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2110 | 2170 | 28 | - | 220 | 17 | 33 | Да |
|
|
AFT21S230SR3 | Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2110 | 2170 | 28 | 53.6 | 50 | 16.7 | 30.5 | Да |
|
|
BLL8H0514LS-130 | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
500 | 1400 | 50 | - | 130 | 10 | 54 | Да |
|