Компоненты группы LDMOS транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Тактовая частота | VDS В |
P1dB дБм |
POUT Вт |
Gain (тип.) дБ |
µD % |
Согласованный | Корпус | ||
F (мин.) МГц |
F (макс.) МГц |
||||||||||||
BLC8G27LS-245AV | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2500 | 2690 | 28 | - | 240 | 14.5 | 43 | Да |
|
|
BLC8G27LS-180AV | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2496 | 2690 | 28 | - | 180 | 14 | 43.5 | Да |
|
|
BLC8G27LS-160AV | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2496 | 2690 | 28 | - | 160 | 14.5 | 43 | Да |
|
|
BLC8G27LS-140AV | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2496 | 2690 | 28 | - | 140 | 15 | 46 | Да |
|
|
BLC8G27LS-100AV | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2520 | 2620 | 28 | - | 100 | 15.5 | 45 | Да |
|
|
BLC8G27LS-60AV | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2520 | 2620 | 28 | - | 60 | 15.5 | 48 | Да |
|
|
MW7IC2425N | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2400 | 2500 | 28 | 44 | 25 | 27.7 | 43.8 | Да |
|
|
BLP25M710 | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
10 | 2500 | 28 | - | 10 | 20.9 | 17.1 | Да |
|
|
MRF6S24140H | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2400 | 2500 | 28 | 51.5 | 140 | 13.2 | 45 | Да |
|
|
MRF6P24190H | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2400 | 2500 | 28 | 52.8 | 190 | 13.2 | 46.2 | Да |
NI-1230 |
|
BLF25M612G | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2400 | 2500 | 28 | - | 12 | 19 | 60 | Да |
|
|
BLF25M612 | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2400 | 2500 | 28 | - | 12 | 19 | 60 | Да |
|
|
BLF2425M9LS30 | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2400 | 2500 | 32 | - | 30 | 18.5 | 61 | Да |
|
|
BLF2425M9L30 | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2400 | 2500 | 32 | - | 30 | 18.5 | 61 | Да |
|
|
BLM2425M7S60P | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2400 | 2500 | 32 | - | 60 | 27.5 | 45 | Да |
|
|
BLF2425M8LS140 | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2400 | 2500 | 28 | - | 140 | 19 | 56 | Да |
|
|
BLF2425M7LS250P | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2400 | 2500 | 28 | - | 250 | 15 | 51 | Да |
|
|
BLF2425M7LS140 | Высокоэффективный радиочастотный LDMOS- транзистор мощностью 140 Вт для нелицензируемого диапазона частот (ISM) 2.45 ГГц | NXP |
LDMOS транзисторы |
2400 | 2500 | 28 | - | 140 | 18.5 | 52 | Нет |
|
|
BLF2425M7L250P | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2400 | 2500 | 28 | - | 250 | 15 | 51 | Да |
|
|
BLF2425M7L140 | Высокоэффективный радиочастотный LDMOS- транзистор мощностью 140 Вт для нелицензируемого диапазона частот (ISM) 2.45 ГГц | NXP |
LDMOS транзисторы |
2400 | 2500 | 28 | - | 140 | 18.5 | 52 | Да |
|