Компоненты группы LDMOS транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Тактовая частота: F (мин.) (МГц)
Тактовая частота: F (макс.) (МГц)
VDS (В)
P1dB (дБм)
POUT (Вт)
Gain (тип.) (дБ)
µD (%)
Согласованный
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 30 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Тактовая частота VDS
В
P1dB
дБм
POUT
Вт
Gain (тип.)
дБ
µD
%
Согласованный Корпус
F (мин.)
МГц
F (макс.)
МГц
                           
BLF184XRG Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
10 600 50 - 700 23.9 73.5 Да SOT-1214C
MRF8P23160WHSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2300 2400 28 51.8 30 14.1 36.5 Да NI-780S-4
BLS6G2731S-130 Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
2700 3100 32 - 130 12 50 Да SOT-922-1
BLC8G24LS-240AV Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
2300 2400 28 - 240 15 44 Да SOT-1252-1
BLF7G27LS-150P Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
2500 2700 28 - 150 16.5 26 Да SOT-539B
MRF8P20100HR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1805 2025 28 48.9 20 16 44.3 Да NI-780-4
BLF888B Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
470 860 50 - 650 21 46 Да SOT-539A
MRF6VP41KH Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
10 500 50 60 1000 20 64 Да NI-1230
NI-1230S
PD20015C Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST STMicroelectronics LDMOS транзисторы
0 2000 13.6 - 15 11 53 Да M243
BLF6G20-110 Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
1800 2000 28 - 110 19 32 Да SOT-502A
MRF5S9080NR1 MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
869 960 26 80 80 18 59 Да TO-270WB-4
BLF8G24LS-150V Силовой LDMOS-транзистор - NXP LDMOS транзисторы
2300 2400 28 - 150 19 33 Да SOT-1244B
MRF7S21080HR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2110 2170 28 49 22 18 32 Да NI-780
BLM6G10-30 Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
860 960 28 - 30 29 11.5 Да SOT-834-1
A2T20H330W24SR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1880 2025 28 53.8 58 16.9 50.5 Да NI-1230S-4L2L
SD57120 Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST STMicroelectronics LDMOS транзисторы
700 1000 28 - 120 14 60 Да M252
BLF7G10L-250 Силовой радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
869 960 30 - 250 19.5 27.4 Да SOT-502A
MRFE6S9160HR3 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
865 960 28 52 35 21 31 Да NI-780
BLF184XRS Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
10 600 50 - 700 23.9 73.5 Да SOT-1214B
MRF8P23160WHR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2300 2400 28 51.8 30 14.1 36.5 Да NI-780-4
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 30 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019