Компоненты группы LDMOS транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Тактовая частота | VDS В |
P1dB дБм |
POUT Вт |
Gain (тип.) дБ |
µD % |
Согласованный | Корпус | ||
F (мин.) МГц |
F (макс.) МГц |
||||||||||||
BLF184XRG | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
10 | 600 | 50 | - | 700 | 23.9 | 73.5 | Да |
|
|
MRF8P23160WHSR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2300 | 2400 | 28 | 51.8 | 30 | 14.1 | 36.5 | Да |
|
|
BLS6G2731S-130 | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2700 | 3100 | 32 | - | 130 | 12 | 50 | Да |
|
|
BLC8G24LS-240AV | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2300 | 2400 | 28 | - | 240 | 15 | 44 | Да |
|
|
BLF7G27LS-150P | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2500 | 2700 | 28 | - | 150 | 16.5 | 26 | Да |
|
|
MRF8P20100HR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1805 | 2025 | 28 | 48.9 | 20 | 16 | 44.3 | Да |
|
|
BLF888B | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
470 | 860 | 50 | - | 650 | 21 | 46 | Да |
|
|
MRF6VP41KH | Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
10 | 500 | 50 | 60 | 1000 | 20 | 64 | Да |
NI-1230 NI-1230S |
|
PD20015C | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST | STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 2000 | 13.6 | - | 15 | 11 | 53 | Да |
|
|
BLF6G20-110 | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
1800 | 2000 | 28 | - | 110 | 19 | 32 | Да |
|
|
MRF5S9080NR1 | MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
869 | 960 | 26 | 80 | 80 | 18 | 59 | Да |
|
|
BLF8G24LS-150V | Силовой LDMOS-транзистор | - | NXP |
LDMOS транзисторы |
2300 | 2400 | 28 | - | 150 | 19 | 33 | Да |
|
MRF7S21080HR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2110 | 2170 | 28 | 49 | 22 | 18 | 32 | Да |
|
|
BLM6G10-30 | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
860 | 960 | 28 | - | 30 | 29 | 11.5 | Да |
|
|
A2T20H330W24SR6 | Радиочастотный LDMOS-транзистор | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1880 | 2025 | 28 | 53.8 | 58 | 16.9 | 50.5 | Да |
|
|
SD57120 | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST | STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
700 | 1000 | 28 | - | 120 | 14 | 60 | Да |
|
|
BLF7G10L-250 | Силовой радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
869 | 960 | 30 | - | 250 | 19.5 | 27.4 | Да |
|
|
MRFE6S9160HR3 | Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
865 | 960 | 28 | 52 | 35 | 21 | 31 | Да |
|
|
BLF184XRS | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
10 | 600 | 50 | - | 700 | 23.9 | 73.5 | Да |
|
|
MRF8P23160WHR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2300 | 2400 | 28 | 51.8 | 30 | 14.1 | 36.5 | Да |
|