Компоненты группы MOSFET модули
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VDS В |
ID А |
RDS(ON) (макс.) Ом |
QG (тип.) нКл |
tr (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
VISO В |
TJ °C |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| FSB70250 | Интеллектуальные силовые модули семейства SPM® 7 с интегрированными 500-вольтовыми MOSFET-транзисторами |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET модули |
500 | 3.3 | 3.4 | - | 145 | - | 1500 | -40 ... 150 |
|
| VMO60-05F | N-канальный MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, контакт Кельвина |
|
IXYS |
MOSFET модули |
500 | 60 | 0.075 | 405 | 45 | 30 | 3000 | -40 ... 150 |
|
| FMM22-05PF | N-канальный силовой MOSFET модуль 500В, 13А, топология Phase Leg, быстровосстанавливающийся обратный диод |
|
IXYS |
MOSFET модули |
500 | 13 | 0.27 | 50 | 25 | 21 | 2500 | -55 ... 150 |
|
| IXFN64N50PD3 | Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, понижающая конфигурация |
|
IXYS |
MOSFET модули |
500 | 50 | 0.085 | 150 | 25 | 22 | 3000 | -55 ... 150 |
|
| IXFN64N50PD2 | Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, повышающая конфигурация |
|
IXYS |
MOSFET модули |
500 | 50 | 0.085 | 150 | 25 | 22 | 3000 | -55 ... 150 |
|
| IXFN48N50U3 | Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, понижающая конфигурация |
|
IXYS |
MOSFET модули |
500 | 48 | 0.1 | 270 | 60 | 30 | 3000 | -40 ... 150 |
|
| IXFN48N50U2 | Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, повышающая конфигурация |
|
IXYS |
MOSFET модули |
500 | 48 | 0.1 | 270 | 60 | 30 | 3000 | -40 ... 150 |
|
| IXFN44N50U3 | Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, понижающая конфигурация |
|
IXYS |
MOSFET модули |
500 | 44 | 0.12 | 270 | 60 | 30 | 3000 | -40 ... 150 |
|
| IXFN44N50U2 | Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, повышающая конфигурация |
|
IXYS |
MOSFET модули |
500 | 44 | 0.12 | 270 | 60 | 30 | 3000 | -40 ... 150 |
|
| IXFE48N50QD3 | Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, понижающая конфигурация |
|
IXYS |
MOSFET модули |
500 | 41 | 0.011 | 190 | 22 | 10 | 3000 | -40 ... 150 |
|
| IXFE48N50QD2 | Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, повышающая конфигурация |
|
IXYS |
MOSFET модули |
500 | 41 | 0.011 | 190 | 22 | 10 | 3000 | -40 ... 150 |
|
| IXFE44N50QD3 | Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, понижающая конфигурация |
|
IXYS |
MOSFET модули |
500 | 39 | 0.012 | 190 | 22 | 10 | 3000 | -40 ... 150 |
|
| IXFE44N50QD2 | Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, повышающая конфигурация |
|
IXYS |
MOSFET модули |
500 | 39 | 0.012 | 190 | 22 | 10 | 3000 | -40 ... 150 |
|
| VBH40-05B | Силовой MOSFET модуль 500 В со встроенным быстровосстанавливающимся обратным диодом и мостовым выпрямителем однофазной сети |
|
IXYS |
MOSFET модули |
500 | 40 | 116 | 270 | 100 | 80 | 3000 | -40 ... 150 |
|
| FSB50760SFS | Транзисторные модули семейства SPM™ 5 SuperFET® с рабочим напряжением 600 В, выполненные по технологии Суперперехода |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET модули |
600 | 3.6 | 0.53 | - | 160 | - | 1500 | -40 ... 150 |
|
| FSB50660SFS | Транзисторные модули семейства SPM™ 5 SuperFET® с рабочим напряжением 600 В, выполненные по технологии Суперперехода |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET модули |
600 | 3.1 | 0.7 | - | 120 | - | 1500 | -40 ... 150 |
|
| FDM47-06KC5 | Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, понижающая конфигурация |
|
IXYS |
MOSFET модули |
600 | 47 | 0.045 | 150 | 20 | 10 | 2500 | -55 ... 150 |
|
| FMD47-06KC5 | Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, повышающая конфигурация |
|
IXYS |
MOSFET модули |
600 | 47 | 0.045 | 150 | 20 | 10 | 2500 | -55 ... 150 |
|
| FMM22-06PF | N-канальный силовой MOSFET модуль 600В, 12А, топология Phase Leg, быстровосстанавливающийся обратный диод |
|
IXYS |
MOSFET модули |
600 | 12 | 0.35 | 58 | 20 | 23 | 2500 | -55 ... 150 |
|
| FMD40-06KC | Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, повышающая конфигурация |
|
IXYS |
MOSFET модули |
600 | 38 | 0.06 | 250 | 30 | 10 | 2500 | -55 ... 150 |
|
