Компоненты группы MOSFET модули
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VDS В |
ID А |
RDS(ON) (макс.) Ом |
QG (тип.) нКл |
tr (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
VISO В |
TJ °C |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| VMM1500-0075X2 | N-канальный силовой MOSFET модуль 75В, 1560А, топлогия Phase Leg |
|
IXYS |
MOSFET модули |
75 | 1560 | 0.00038 | 1950 | 1680 | 880 | 3600 | -40 ... 175 |
|
| VMO1200-01F | N-канальный MOSFET модуль, контакт Кельвина |
|
IXYS |
MOSFET модули |
100 | 1220 | 0.00125 | 1710 | 1620 | 1020 | 3600 | -40 ... 150 |
|
| VMO1600-02P | N-канальный MOSFET модуль, контакт Кельвина |
|
IXYS |
MOSFET модули |
200 | 1600 | 0.0017 | 2900 | 1220 | 700 | 3600 | -40 ... 150 |
|
| VMO580-02F | N-канальный MOSFET модуль, контакт Кельвина |
|
IXYS |
MOSFET модули |
200 | 580 | 0.0038 | 2750 | 500 | 350 | 3600 | -40 ... 150 |
|
| VMO650-01F | N-канальный MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, контакт Кельвина |
|
IXYS |
MOSFET модули |
100 | 690 | 0.0018 | 2300 | 500 | 200 | 3000 | -40 ... 150 |
|
| VMO550-01F | N-канальный MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, контакт Кельвина |
|
IXYS |
MOSFET модули |
100 | 590 | 0.0021 | 2000 | 500 | 200 | 3000 | -40 ... 150 |
|
| VMM300-03F | N-канальный силовой MOSFET модуль 300В, 290А, топология Phase Leg, быстровосстанавливающийся обратный диод |
|
IXYS |
MOSFET модули |
300 | 290 | 0.0086 | 1440 | 400 | 150 | 3600 | -40 ... 150 |
|
| VMK165-007T | 2-канальный силовой MOSFET модуль,общий исток |
|
IXYS |
MOSFET модули |
70 | 165 | 0.007 | 480 | 280 | 110 | 3000 | -40 ... 150 |
|
| VMM650-01F | N-канальный силовой MOSFET модуль 100В, 680А, топлогия Phase Leg, быстровосстанавливающийся обратный диод |
|
IXYS |
MOSFET модули |
100 | 680 | 0.0018 | 1440 | 250 | 200 | 3600 | -40 ... 150 |
|
| GMM3x180-004X2 | Силовой MOSFET модуль трехфазного моста в изолированном сильноточном корпусе |
|
IXYS |
MOSFET модули |
40 | 180 | 0.0025 | 110 | 240 | 170 | 1000 | -55 ... 175 |
|
| GWM180-004X2 | Силовой MOSFET модуль трехфазного моста в изолированном сильноточном корпусе |
|
IXYS |
MOSFET модули |
40 | 180 | 0.0025 | 110 | 240 | 170 | 1000 | -55 ... 175 |
|
| VWM270-0075X2 | Силовой MOSFET модуль трехфазного моста |
|
IXYS |
MOSFET модули |
75 | 270 | 0.0021 | 360 | 225 | 265 | 500 | -40 ... 175 |
|
| VMM90-09F | N-канальный силовой MOSFET модуль 900В, 85А, топология Phase Leg, быстровосстанавливающийся обратный диод |
|
IXYS |
MOSFET модули |
900 | 85 | 0.076 | 960 | 180 | 140 | 3600 | -40 ... 150 |
|
| FSB50760SFS | Транзисторные модули семейства SPM™ 5 SuperFET® с рабочим напряжением 600 В, выполненные по технологии Суперперехода |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET модули |
600 | 3.6 | 0.53 | - | 160 | - | 1500 | -40 ... 150 |
|
| FSB70250 | Интеллектуальные силовые модули семейства SPM® 7 с интегрированными 500-вольтовыми MOSFET-транзисторами |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET модули |
500 | 3.3 | 3.4 | - | 145 | - | 1500 | -40 ... 150 |
|
| GWM160-0055X1 | Силовой MOSFET модуль трехфазного моста в изолированном сильноточном корпусе |
|
IXYS |
MOSFET модули |
55 | 150 | 0.0033 | 105 | 125 | 120 | 1000 | -55 ... 175 |
|
| FSB50660SFS | Транзисторные модули семейства SPM™ 5 SuperFET® с рабочим напряжением 600 В, выполненные по технологии Суперперехода |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET модули |
600 | 3.1 | 0.7 | - | 120 | - | 1500 | -40 ... 150 |
|
| GMM3x160-0055X2 | Силовой MOSFET модуль трехфазного моста в изолированном сильноточном корпусе |
|
IXYS |
MOSFET модули |
55 | 150 | 0.0031 | 110 | 110 | 100 | 1000 | -55 ... 175 |
|
| GMM3x120-0075X2 | Силовой MOSFET модуль трехфазного моста в изолированном сильноточном корпусе |
|
IXYS |
MOSFET модули |
75 | 110 | 0.0049 | 115 | 100 | 100 | 1000 | -55 ... 175 |
|
| GWM120-0075X1 | Силовой MOSFET модуль трехфазного моста в изолированном сильноточном корпусе |
|
IXYS |
MOSFET модули |
75 | 110 | 0.0049 | 115 | 100 | 100 | 1000 | -55 ... 175 |
|
