Компоненты группы MOSFET модули

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VDS (В)
ID (А)
RDS(ON) (макс.) (Ом)
QG (тип.) (нКл)
tr (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
VISO (В)
TJ (°C) От до
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VDS
В
ID
А
RDS(ON) (макс.)
Ом
QG (тип.)
нКл
tr (тип.)
нс
tf (тип.)
нс
VISO
В
TJ
°C
Корпус
                           
FDMF3035 Силовой интеллектуальный модуль (SPS) с рабочей частотой преобразования 1.5 МГц Fairchild Semiconductor MOSFET модули
5 50 2.5 - 8 8 2500 -40 ... 150 PQFN-31
FSB50760SFS Транзисторные модули семейства SPM™ 5 SuperFET® с рабочим напряжением 600 В, выполненные по технологии Суперперехода Fairchild Semiconductor MOSFET модули
600 3.6 0.53 - 160 - 1500 -40 ... 150 SPM5Q-023
GMM3x60-015X2 Силовой MOSFET модуль трехфазного моста в изолированном сильноточном корпусе IXYS MOSFET модули
150 57 0.022 - - - 1000 -55 ... 175 SMD
FSB50660SFS Транзисторные модули семейства SPM™ 5 SuperFET® с рабочим напряжением 600 В, выполненные по технологии Суперперехода Fairchild Semiconductor MOSFET модули
600 3.1 0.7 - 120 - 1500 -40 ... 150 SPM5Q-023
FSB70250 Интеллектуальные силовые модули семейства SPM® 7 с интегрированными 500-вольтовыми MOSFET-транзисторами Fairchild Semiconductor MOSFET модули
500 3.3 3.4 - 145 - 1500 -40 ... 150 PQFN-27A
FSB70325 Интеллектуальные силовые модули семейства SPM® 7 с интегрированными 500-вольтовыми MOSFET-транзисторами Fairchild Semiconductor MOSFET модули
250 4.1 1.4 - 72 - 1500 -40 ... 150 PQFN-27A
FSB70625 Интеллектуальные силовые модули семейства SPM® 7 с интегрированными 500-вольтовыми MOSFET-транзисторами Fairchild Semiconductor MOSFET модули
250 6.9 0.8 - 70 - 1500 -40 ... 150 PQFN-27A
FDMF3037 Силовой интеллектуальный модуль (SPS) с рабочей частотой преобразования 1.5 МГц Fairchild Semiconductor MOSFET модули
5 30 2.5 - 8 8 2500 -40 ... 150 PQFN-31
FDM15-06KC5 Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, понижающая конфигурация IXYS MOSFET модули
600 15 0.165 40 5 5 2500 -55 ... 150 ISOPLUS_i4
FMD15-06KC5 Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, повышающая конфигурация IXYS MOSFET модули
600 15 0.165 40 5 5 2500 -55 ... 150 ISOPLUS_i4
MKE11R600DCGFC Силовой MOSFET модуль с SiC диодом, повышающая конфигурация IXYS MOSFET модули
600 15 0.165 40 6 4 2500 -55 ... 150 ISOPLUS_i4
FMM22-05PF N-канальный силовой MOSFET модуль 500В, 13А, топология Phase Leg, быстровосстанавливающийся обратный диод IXYS MOSFET модули
500 13 0.27 50 25 21 2500 -55 ... 150 ISOPLUS_i4
FMP36-015P Силовой P- и N-канальный MOSFET модуль -150В, -22А, топология с общим стоком IXYS MOSFET модули
-150 -22 0.11 55 31 15 2500 -55 ... 150 ISOPLUS_i4
FMP26-02P Силовой P- и N-канальный MOSFET модуль -200В, -17А, топология с общим стоком IXYS MOSFET модули
-200 -17 0.17 56 33 21 2500 -55 ... 150 ISOPLUS_i4
FMM22-06PF N-канальный силовой MOSFET модуль 600В, 12А, топология Phase Leg, быстровосстанавливающийся обратный диод IXYS MOSFET модули
600 12 0.35 58 20 23 2500 -55 ... 150 ISOPLUS_i4
FMM50-025TF N-канальный силовой MOSFET модуль 250В, 30А, топология Phase Leg, быстровосстанавливающийся обратный диод IXYS MOSFET модули
250 30 0.05 78 25 25 2500 -55 ... 150 ISOPLUS_i4
GWM100-01X1 Силовой MOSFET модуль трехфазного моста в изолированном сильноточном корпусе IXYS MOSFET модули
100 90 0.0085 90 95 55 1000 -55 ... 175 ISOPLUS-DIL
GMM3x100-01X1 Силовой MOSFET модуль трехфазного моста в изолированном сильноточном корпусе IXYS MOSFET модули
100 90 0.0085 90 95 55 1000 -55 ... 175 SMD
FMM60-02TF N-канальный силовой MOSFET модуль 200В, 33А, топлогия Phase Leg, быстровосстанавливающийся обратный диод IXYS MOSFET модули
200 33 0.04 90 46 42 2500 -55 ... 150 ISOPLUS_i4
FMD21-05QC овой MOSFET модуль, Chopper технология, повышающая конфигурация IXYS MOSFET модули
21 500 0.22 95 20 15 2500 -55 ... 150 ISOPLUS_i4
Страницы: 1 2 3 4 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019