Компоненты группы MOSFET модули
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VDS В |
ID А |
RDS(ON) (макс.) Ом |
QG (тип.) нКл |
tr (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
VISO В |
TJ °C |
Корпус | |
VMM85-02F | N-канальный силовой MOSFET модуль 200В, 84А, топология Phase Leg, быстровосстанавливающийся обратный диод | IXYS |
MOSFET модули |
200 | 84 | 0.025 | 380 | 80 | 100 | 3600 | -40 ... 150 |
|
|
VMM1500-0075X2 | N-канальный силовой MOSFET модуль 75В, 1560А, топлогия Phase Leg | IXYS |
MOSFET модули |
75 | 1560 | 0.00038 | 1950 | 1680 | 880 | 3600 | -40 ... 175 |
|
|
VMO1200-01F | N-канальный MOSFET модуль, контакт Кельвина | IXYS |
MOSFET модули |
100 | 1220 | 0.00125 | 1710 | 1620 | 1020 | 3600 | -40 ... 150 |
|
|
VMO580-02F | N-канальный MOSFET модуль, контакт Кельвина | IXYS |
MOSFET модули |
200 | 580 | 0.0038 | 2750 | 500 | 350 | 3600 | -40 ... 150 |
|
|
VMM650-01F | N-канальный силовой MOSFET модуль 100В, 680А, топлогия Phase Leg, быстровосстанавливающийся обратный диод | IXYS |
MOSFET модули |
100 | 680 | 0.0018 | 1440 | 250 | 200 | 3600 | -40 ... 150 |
|
|
VMO1600-02P | N-канальный MOSFET модуль, контакт Кельвина | IXYS |
MOSFET модули |
200 | 1600 | 0.0017 | 2900 | 1220 | 700 | 3600 | -40 ... 150 |
|
|
VMM90-09F | N-канальный силовой MOSFET модуль 900В, 85А, топология Phase Leg, быстровосстанавливающийся обратный диод | IXYS |
MOSFET модули |
900 | 85 | 0.076 | 960 | 180 | 140 | 3600 | -40 ... 150 |
|
|
VMO550-01F | N-канальный MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, контакт Кельвина | IXYS |
MOSFET модули |
100 | 590 | 0.0021 | 2000 | 500 | 200 | 3000 | -40 ... 150 |
|
|
VMO650-01F | N-канальный MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, контакт Кельвина | IXYS |
MOSFET модули |
100 | 690 | 0.0018 | 2300 | 500 | 200 | 3000 | -40 ... 150 |
|
|
VMM300-03F | N-канальный силовой MOSFET модуль 300В, 290А, топология Phase Leg, быстровосстанавливающийся обратный диод | IXYS |
MOSFET модули |
300 | 290 | 0.0086 | 1440 | 400 | 150 | 3600 | -40 ... 150 |
|
|
VBH40-05B | Силовой MOSFET модуль 500 В со встроенным быстровосстанавливающимся обратным диодом и мостовым выпрямителем однофазной сети | IXYS |
MOSFET модули |
500 | 40 | 116 | 270 | 100 | 80 | 3000 | -40 ... 150 |
|
|
VMO60-05F | N-канальный MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, контакт Кельвина | IXYS |
MOSFET модули |
500 | 60 | 0.075 | 405 | 45 | 30 | 3000 | -40 ... 150 |
|
|
VMK165-007T | 2-канальный силовой MOSFET модуль,общий исток | IXYS |
MOSFET модули |
70 | 165 | 0.007 | 480 | 280 | 110 | 3000 | -40 ... 150 |
|
|
VMM45-02F | N-канальный силовой MOSFET модуль 200В, 45А, топлогия Phase Leg, быстровосстанавливающийся обратный диод | IXYS |
MOSFET модули |
200 | 45 | 0.045 | 190 | 45 | 45 | 3600 | -40 ... 150 |
|
|
VMK90-02T2 | 2-канальный силовой MOSFET модуль,общий исток | IXYS |
MOSFET модули |
200 | 83 | 0.025 | 380 | 80 | 100 | 3000 | -40 ... 150 |
|
|
FSB50760SFS | Транзисторные модули семейства SPM™ 5 SuperFET® с рабочим напряжением 600 В, выполненные по технологии Суперперехода | Fairchild Semiconductor |
MOSFET модули |
600 | 3.6 | 0.53 | - | 160 | - | 1500 | -40 ... 150 |
|
|
FSB50660SFS | Транзисторные модули семейства SPM™ 5 SuperFET® с рабочим напряжением 600 В, выполненные по технологии Суперперехода | Fairchild Semiconductor |
MOSFET модули |
600 | 3.1 | 0.7 | - | 120 | - | 1500 | -40 ... 150 |
|
|
IXFN100N10S1 | Силовой MOSFET модуль с диодом Шоттки, быстровосстанавливающийся обратный диод, параллельная конфигурация | IXYS |
MOSFET модули |
100 | 100 | 0.015 | 180 | 70 | 30 | 3000 | -40 ... 150 |
|
|
IXFN44N50U2 | Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, повышающая конфигурация | IXYS |
MOSFET модули |
500 | 44 | 0.12 | 270 | 60 | 30 | 3000 | -40 ... 150 |
|
|
IXFN100N10S2 | Силовой MOSFET модуль с диодом Шоттки, быстровосстанавливающийся обратный диод, повышающая конфигурация | IXYS |
MOSFET модули |
100 | 100 | 0.015 | 180 | 70 | 30 | 3000 | -40 ... 150 |
|