FSB50660SFS Транзисторные модули семейства SPM™ 5 SuperFET® с рабочим напряжением 600 В, выполненные по технологии Суперперехода

 

Блок-схема

FSB50660SFS, Транзисторные модули семейства SPM™ 5 SuperFET® с рабочим напряжением 600 В, выполненные по технологии Суперперехода
Увеличить

Группа компонентов

MOSFET модули

Основные параметры

VDS 600
ID 3.1
RDS(ON) (макс.),Ом 0.7
tr (тип.),нс 120
VISO 1500
TJ,°C от -40 до 150
Корпус SPM5Q-023

Общее описание

Отличительные особенности:

  • Содержит шесть MOSFET-транзисторов и полумостовые драйверы
  • Метод литьевого прессования обеспечивает высокую степень надёжности
  • SDM-корпус с площадью монтажа 12 мм x 29 мм (доступен также в корпусе DIP)
  • Аналоговый выход для вывода точного значения температуры
  • FSB50660SFS интегрирует MOSFET-транзисторы с сопротивлением открытого канала 700 мОм и напряжением сток-исток 600 В
  • FSB50760SFS интегрирует MOSFET-транзисторы с сопротивлением открытого канала 530 мОм и напряжением сток-исток 600 В
  • Встроенные защитные шунтирующие диоды
  • Три N-терминала для реализации схемы измерения силы тока

Область применения:

  • Системы управления электродвигателем промышленного и бытового назначения
Datasheet
 
FSB50660SFS (603.5 Кб), 16.01.2015

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

FSB50660SFS Транзисторные модули семейства SPM™ 5 SuperFET® с рабочим напряжением 600 В, выполненные по технологии Суперперехода (603.5 Кб), 16.01.2015




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 744
Дата публикации: 16.01.2015 14:46
Дата редактирования: 16.01.2015 14:52


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019