Компоненты группы MOSFET модули
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VDS В |
ID А |
RDS(ON) (макс.) Ом |
QG (тип.) нКл |
tr (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
VISO В |
TJ °C |
Корпус | |
FSB50760SFS | Транзисторные модули семейства SPM™ 5 SuperFET® с рабочим напряжением 600 В, выполненные по технологии Суперперехода | Fairchild Semiconductor |
MOSFET модули |
600 | 3.6 | 0.53 | - | 160 | - | 1500 | -40 ... 150 |
|
|
GMM3x60-015X2 | Силовой MOSFET модуль трехфазного моста в изолированном сильноточном корпусе | IXYS |
MOSFET модули |
150 | 57 | 0.022 | - | - | - | 1000 | -55 ... 175 |
|
|
FSB50660SFS | Транзисторные модули семейства SPM™ 5 SuperFET® с рабочим напряжением 600 В, выполненные по технологии Суперперехода | Fairchild Semiconductor |
MOSFET модули |
600 | 3.1 | 0.7 | - | 120 | - | 1500 | -40 ... 150 |
|
|
FSB70250 | Интеллектуальные силовые модули семейства SPM® 7 с интегрированными 500-вольтовыми MOSFET-транзисторами | Fairchild Semiconductor |
MOSFET модули |
500 | 3.3 | 3.4 | - | 145 | - | 1500 | -40 ... 150 |
|
|
FSB70325 | Интеллектуальные силовые модули семейства SPM® 7 с интегрированными 500-вольтовыми MOSFET-транзисторами | Fairchild Semiconductor |
MOSFET модули |
250 | 4.1 | 1.4 | - | 72 | - | 1500 | -40 ... 150 |
|
|
FSB70625 | Интеллектуальные силовые модули семейства SPM® 7 с интегрированными 500-вольтовыми MOSFET-транзисторами | Fairchild Semiconductor |
MOSFET модули |
250 | 6.9 | 0.8 | - | 70 | - | 1500 | -40 ... 150 |
|
|
GWM100-0085X1 | Силовой MOSFET модуль трехфазного моста в изолированном сильноточном корпусе | IXYS |
MOSFET модули |
85 | 103 | 0.0062 | 114 | - | - | 1000 | -55 ... 175 |
|
|
MKE11R600DCGFC | Силовой MOSFET модуль с SiC диодом, повышающая конфигурация | IXYS |
MOSFET модули |
600 | 15 | 0.165 | 40 | 6 | 4 | 2500 | -55 ... 150 |
|
|
FDM15-06KC5 | Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, понижающая конфигурация | IXYS |
MOSFET модули |
600 | 15 | 0.165 | 40 | 5 | 5 | 2500 | -55 ... 150 |
|
|
FMD15-06KC5 | Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, повышающая конфигурация | IXYS |
MOSFET модули |
600 | 15 | 0.165 | 40 | 5 | 5 | 2500 | -55 ... 150 |
|
|
FDMF3035 | Силовой интеллектуальный модуль (SPS) с рабочей частотой преобразования 1.5 МГц | Fairchild Semiconductor |
MOSFET модули |
5 | 50 | 2.5 | - | 8 | 8 | 2500 | -40 ... 150 |
|
|
FDMF3037 | Силовой интеллектуальный модуль (SPS) с рабочей частотой преобразования 1.5 МГц | Fairchild Semiconductor |
MOSFET модули |
5 | 30 | 2.5 | - | 8 | 8 | 2500 | -40 ... 150 |
|
|
FDM47-06KC5 | Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, понижающая конфигурация | IXYS |
MOSFET модули |
600 | 47 | 0.045 | 150 | 20 | 10 | 2500 | -55 ... 150 |
|
|
FMD47-06KC5 | Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, повышающая конфигурация | IXYS |
MOSFET модули |
600 | 47 | 0.045 | 150 | 20 | 10 | 2500 | -55 ... 150 |
|
|
FMD40-06KC | Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, повышающая конфигурация | IXYS |
MOSFET модули |
600 | 38 | 0.06 | 250 | 30 | 10 | 2500 | -55 ... 150 |
|
|
IXFE48N50QD3 | Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, понижающая конфигурация | IXYS |
MOSFET модули |
500 | 41 | 0.011 | 190 | 22 | 10 | 3000 | -40 ... 150 |
|
|
IXFE48N50QD2 | Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, повышающая конфигурация | IXYS |
MOSFET модули |
500 | 41 | 0.011 | 190 | 22 | 10 | 3000 | -40 ... 150 |
|
|
IXFE44N50QD3 | Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, понижающая конфигурация | IXYS |
MOSFET модули |
500 | 39 | 0.012 | 190 | 22 | 10 | 3000 | -40 ... 150 |
|
|
VKM40-06P1 | Силовой MOSFET модуль 600 В, 38 А, встроенный быстровосстанавливающийся обратный диод | IXYS |
MOSFET модули |
600 | 38 | 70 | 220 | 95 | 10 | 3600 | -40 ... 150 |
|
|
IXFE44N50QD2 | Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, повышающая конфигурация | IXYS |
MOSFET модули |
500 | 39 | 0.012 | 190 | 22 | 10 | 3000 | -40 ... 150 |
|