Компоненты группы MOSFET модули
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VDS В |
ID А |
RDS(ON) (макс.) Ом |
QG (тип.) нКл |
tr (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
VISO В |
TJ °C |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| FSB50660SFS | Транзисторные модули семейства SPM™ 5 SuperFET® с рабочим напряжением 600 В, выполненные по технологии Суперперехода |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET модули |
600 | 3.1 | 0.7 | - | 120 | - | 1500 | -40 ... 150 |
|
| FSB50760SFS | Транзисторные модули семейства SPM™ 5 SuperFET® с рабочим напряжением 600 В, выполненные по технологии Суперперехода |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET модули |
600 | 3.6 | 0.53 | - | 160 | - | 1500 | -40 ... 150 |
|
| FDMF3035 | Силовой интеллектуальный модуль (SPS) с рабочей частотой преобразования 1.5 МГц |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET модули |
5 | 50 | 2.5 | - | 8 | 8 | 2500 | -40 ... 150 |
|
| FDMF3037 | Силовой интеллектуальный модуль (SPS) с рабочей частотой преобразования 1.5 МГц |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET модули |
5 | 30 | 2.5 | - | 8 | 8 | 2500 | -40 ... 150 |
|
| FMP26-02P | Силовой P- и N-канальный MOSFET модуль -200В, -17А, топология с общим стоком |
|
IXYS |
MOSFET модули |
-200 | -17 | 0.17 | 56 | 33 | 21 | 2500 | -55 ... 150 |
|
| FMP36-015P | Силовой P- и N-канальный MOSFET модуль -150В, -22А, топология с общим стоком |
|
IXYS |
MOSFET модули |
-150 | -22 | 0.11 | 55 | 31 | 15 | 2500 | -55 ... 150 |
|
| FMP76-01T | Силовой P- и N-канальный MOSFET модуль -100В, -54А, топология с общим стоком |
|
IXYS |
MOSFET модули |
-100 | -54 | 0.024 | 197 | 40 | 20 | 2500 | -55 ... 150 |
|
| IXFN44N50U3 | Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, понижающая конфигурация |
|
IXYS |
MOSFET модули |
500 | 44 | 0.12 | 270 | 60 | 30 | 3000 | -40 ... 150 |
|
| FDM47-06KC5 | Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, понижающая конфигурация |
|
IXYS |
MOSFET модули |
600 | 47 | 0.045 | 150 | 20 | 10 | 2500 | -55 ... 150 |
|
| IXFN48N50U3 | Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, понижающая конфигурация |
|
IXYS |
MOSFET модули |
500 | 48 | 0.1 | 270 | 60 | 30 | 3000 | -40 ... 150 |
|
| IXFN64N50PD3 | Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, понижающая конфигурация |
|
IXYS |
MOSFET модули |
500 | 50 | 0.085 | 150 | 25 | 22 | 3000 | -55 ... 150 |
|
| IXFE44N50QD3 | Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, понижающая конфигурация |
|
IXYS |
MOSFET модули |
500 | 39 | 0.012 | 190 | 22 | 10 | 3000 | -40 ... 150 |
|
| IXFE48N50QD3 | Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, понижающая конфигурация |
|
IXYS |
MOSFET модули |
500 | 41 | 0.011 | 190 | 22 | 10 | 3000 | -40 ... 150 |
|
| FDM15-06KC5 | Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, понижающая конфигурация |
|
IXYS |
MOSFET модули |
600 | 15 | 0.165 | 40 | 5 | 5 | 2500 | -55 ... 150 |
|
| FMD40-06KC | Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, повышающая конфигурация |
|
IXYS |
MOSFET модули |
600 | 38 | 0.06 | 250 | 30 | 10 | 2500 | -55 ... 150 |
|
| FMD47-06KC5 | Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, повышающая конфигурация |
|
IXYS |
MOSFET модули |
600 | 47 | 0.045 | 150 | 20 | 10 | 2500 | -55 ... 150 |
|
| IXFN48N50U2 | Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, повышающая конфигурация |
|
IXYS |
MOSFET модули |
500 | 48 | 0.1 | 270 | 60 | 30 | 3000 | -40 ... 150 |
|
| IXFN64N50PD2 | Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, повышающая конфигурация |
|
IXYS |
MOSFET модули |
500 | 50 | 0.085 | 150 | 25 | 22 | 3000 | -55 ... 150 |
|
| IXFE44N50QD2 | Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, повышающая конфигурация |
|
IXYS |
MOSFET модули |
500 | 39 | 0.012 | 190 | 22 | 10 | 3000 | -40 ... 150 |
|
| IXFE48N50QD2 | Силовой MOSFET модуль, быстровосстанавливающийся обратный диод, повышающая конфигурация |
|
IXYS |
MOSFET модули |
500 | 41 | 0.011 | 190 | 22 | 10 | 3000 | -40 ... 150 |
|
