Компоненты группы IGBT Модули

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
IF(FWD) (А)
Кол-во ключей
Конфигурация
VISO (В)
NTC
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 11 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В
Рабочий ток VCE(sat)
В
td(on) (тип.)
нс
tr (тип.)
нс
td(off) (тип.)
нс
EON (тип.)
мДж
EOFF (тип.)
мДж
PD
Вт
IF(FWD)
А
Кол-во ключей Конфигурация VISO
В
NTC TA
°C
Корпус
IC
А
При TC
°C
                                           
MIO2400-17E10 IGBT модуль 1700В, 2400А IXYS IGBT Модули
1700 2400 80 2.3 340 260 1050 600 980 - 2400 3 Три одиночных ключа
4000 Нет -40 ... 125 E10
MIO1800-17E10 IGBT модуль 1700В, 1800А IXYS IGBT Модули
1700 1800 80 2.3 285 230 950 530 670 - 1800 3 Три одиночных ключа
4000 Нет -40 ... 125 E10
MIO1500-25E10 IGBT модуль 2500В, 1500А IXYS IGBT Модули
2500 1500 80 2.7 - - - 1400 1450 - 1500 3 Три одиночных ключа
5000 Нет -40 ... 125 E10
MIO1200-33E11 IGBT модуль 3300В, 1200А IXYS IGBT Модули
3300 1200 80 3.1 - - - 1750 2000 - 1200 3 Три одиночных ключа
6000 Нет -40 ... 125 E11
MIO1200-33E10 IGBT модуль 3300В, 1200А IXYS IGBT Модули
3300 1200 80 3.1 400 200 1070 1890 1950 - 1200 3 Три одиночных ключа
6000 Нет -40 ... 125 E10
MIO1200-25E10 IGBT модуль 2500В, 1200А IXYS IGBT Модули
2500 1200 80 2.5 365 250 980 1150 1250 - 1200 3 Три одиночных ключа
5000 Нет -40 ... 125 E10
MIO600-65E11 IGBT модуль 6500В, 600А IXYS IGBT Модули
6500 600 85 4.2 620 270 1500 4250 3250 - 600 3 Три одиночных ключа
10200 Нет -40 ... 125 E11
FF600R12ME4_B11 IGBT модуль EconoDUAL™ 3 с выводами PressFIT, с обратным диодом Infineon Technologies IGBT Модули
1200 600 - 2.1 - - - - - 3650 - - - 2500 - - -
MIXA600AF650TSF XPT™ IGBT-модуль на 650 В, 2x720 А IXYS IGBT Модули
650 490 80 1.8 90 50 100 6 22.8 1750 340 2 Общий анод
3000 Да -40 ... 175 SimBus F
MIXA600CF650TSF XPT™ IGBT-модуль на 650 В, 2x720 А IXYS IGBT Модули
650 490 80 1.8 90 50 100 6 22.8 1750 340 2 Общий катод
3000 Да -40 ... 175 SimBus F
MIXA600PF650TSF XPT™ IGBT-модуль на 2x650 В, 720 А IXYS IGBT Модули
650 490 80 1.8 30 50 100 6 22.8 1750 340 2 Полумост
3000 Да -40 ... 175 SimBus F
MID550-12A4 IGBT модуль 1200В, 670А IXYS IGBT Модули
1200 460 80 2.3 100 60 600 64 59 2750 80 1 Чоппер
4800 Нет -40 ... 150 Y3-DCB
MDI550-12A4 IGBT модуль 1200В, 670А IXYS IGBT Модули
1200 460 80 2.3 100 60 600 64 59 2750 80 1 Чоппер
4800 Нет -40 ... 150 Y3-DCB
FF450R17ME4_B11 IGBT модуль EconoDUAL™ 3 с выводами PressFIT, с обратным диодом Infineon Technologies IGBT Модули
1700 450 - 2.3 - - - - - 2500 - - - 3400 - - -
MIXA450PF1200TSF IGBT модуль 1200В, 450А, конструкция XPT (Xtreme light Punch Through) IXYS IGBT Модули
1200 450 80 2 70 40 250 42 48 2200 450 2 3-level Phase-Leg
3400 Да -40 ... 125 eDUAL
FF450R12ME4 IGBT модуль EconoDUAL™ 3 с выводами PressFIT Infineon Technologies IGBT Модули
1200 450 - 2.1 - - - - - 2250 - - - 2500 - - -
MWI450-12E9 Sixpack IGBT модуль 1200В, 440А IXYS IGBT Модули
1200 440 80 2.2 190 116 475 35 47 2200 450 6 Три полумоста
3400 Да -40 ... 125 E9-Pak
MWI451-17E9 Sixpack IGBT модуль 1700В, 475А IXYS IGBT Модули
1700 405 80 2.25 100 90 470 90 90 2200 450 6 Три полумоста
3400 Да -40 ... 125 E9-Pak
MWI300-12E9 Sixpack IGBT модуль 1200В, 375А IXYS IGBT Модули
1200 375 80 2 180 100 650 19 32 2100 300 6 Три полумоста
3400 Да -40 ... 125 E9-Pak
MWI300-17E9 Sixpack IGBT модуль 1700В, 350А IXYS IGBT Модули
1700 350 80 2.3 180 110 500 100 80 2200 290 6 Три полумоста
3400 Да -40 ... 125 E9-Pak
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 11 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019