Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

MIO1200-33E10 IGBT модуль 3300В, 1200А

 

Блок-схема

MIO1200-33E10, IGBT модуль 3300В, 1200А
Увеличить

Группа компонентов

IGBT Модули

Основные параметры

VCES,В 3300
Рабочий ток: IC,А 1200
Рабочий ток: При TC,°C 80
VCE(sat),В 3.1
td(on) (тип.),нс 400
tr (тип.),нс 200
td(off) (тип.),нс 1070
EON (тип.),мДж 1890
EOFF (тип.),мДж 1950
IF(FWD),А 1200
Кол-во ключей 3
Конфигурация Три одиночных ключа
VISO,В 6000
NTC Нет
TA,°C от -40 до 125
Корпус E10

Общее описание

Особенности:

  • Vces: 1700V, 2500V и 3300V
  • Ic(25): от 1650A до 3300A
  • Малые потери проводимости и переключения по технологии NPT³ IGBT
  • Высокая Э/М совместимость, плавное переключение
  • Стандартные типовые корпуса, высокая мощность, малый габарит
  • Используют AISiC-плату, высокая способность к термоциклированию
  • Оптимизированный теплоотвод за счёт AIN керамики
Datasheet
 
MIO1200-33E10 (162.9 Кб), 28.04.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

MIO1200-33E10 IGBT модуль 3300В, 1200А (162.9 Кб), 28.04.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 939 		Дата публикации: 28.04.2012 14:31
Дата редактирования: 28.04.2012 14:33

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники