Компоненты группы IGBT Модули
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VCES В |
Рабочий ток | VCE(sat) В |
td(on) (тип.) нс |
tr (тип.) нс |
td(off) (тип.) нс |
EON (тип.) мДж |
EOFF (тип.) мДж |
PD Вт |
IF(FWD) А |
Кол-во ключей | Конфигурация | VISO В |
NTC | TA °C |
Корпус | ||
IC А |
При TC °C |
||||||||||||||||||||
FP75R12KT4 | Трехфазный EconoPIMTM3 IGBT модуль 75 А, 1200 В, с выпрямителем, чоппером и датчиком температуры | Infineon Technologies |
IGBT Модули |
1200 | 75 | - | 1.85 | - | - | - | - | - | 385 | - | - | - | 2500 | - | - | - | |
GT50JR22 | Силовые IGBT-транзисторы для инверторов сетевого напряжения | - | Toshiba |
IGBT Модули |
600 | 50 | - | 1.65 | 250 | 80 | 370 | - | - | 76 | 40 | 2 | - | - | Да | -55 ... 150 |
|
GT50JR21 | Силовые IGBT-транзисторы для инверторов сетевого напряжения | - | Toshiba |
IGBT Модули |
600 | 50 | - | 1.5 | 260 | 80 | 310 | - | - | 76 | 40 | 2 | - | - | Да | -55 ... 150 |
|
FF450R17ME4_B11 | IGBT модуль EconoDUAL™ 3 с выводами PressFIT, с обратным диодом | Infineon Technologies |
IGBT Модули |
1700 | 450 | - | 2.3 | - | - | - | - | - | 2500 | - | - | - | 3400 | - | - | - | |
FF300R17ME4_B11 | IGBT модуль EconoDUAL™ 3 с выводами PressFIT, с обратным диодом | Infineon Technologies |
IGBT Модули |
1700 | 300 | - | 2.3 | - | - | - | - | - | 1800 | - | - | - | 3400 | - | - | - | |
FF225R17ME4_B11 | IGBT модуль EconoDUAL™ 3 с выводами PressFIT, с обратным диодом | Infineon Technologies |
IGBT Модули |
1700 | 225 | - | 2.3 | - | - | - | - | - | 1500 | - | - | - | 3400 | - | - | - | |
FF600R12ME4_B11 | IGBT модуль EconoDUAL™ 3 с выводами PressFIT, с обратным диодом | Infineon Technologies |
IGBT Модули |
1200 | 600 | - | 2.1 | - | - | - | - | - | 3650 | - | - | - | 2500 | - | - | - | |
FF450R12ME4 | IGBT модуль EconoDUAL™ 3 с выводами PressFIT | Infineon Technologies |
IGBT Модули |
1200 | 450 | - | 2.1 | - | - | - | - | - | 2250 | - | - | - | 2500 | - | - | - | |
FF300R12ME4_B11 | IGBT модуль EconoDUAL™ 3 с выводами PressFIT | Infineon Technologies |
IGBT Модули |
1200 | 300 | - | 2.1 | - | - | - | - | - | 1600 | - | - | - | 2500 | - | - | - | |
FF225R12ME4_B11 | IGBT модуль EconoDUAL™ 3 с выводами PressFIT | Infineon Technologies |
IGBT Модули |
1200 | 225 | - | 2.15 | - | - | - | - | - | 1050 | - | - | - | 2500 | - | - | - | |
FS75R12KT4_B15 | IGBT модуль EconoPACKTM2 75 А, 1200 В | Infineon Technologies |
IGBT Модули |
1200 | 75 | - | 1.85 | - | - | - | - | - | 385 | - | - | - | 2500 | - | - | - | |
FS75R12KT4_B11 | IGBT модуль EconoPACKTM2, с выводами PressFIT, с датчиком температуры | Infineon Technologies |
IGBT Модули |
1200 | 75 | - | 1.85 | - | - | - | - | - | 385 | - | - | - | 2500 | - | - | - | |
FP50R12KT4 | Трехфазный EconoPIMTM3 IGBT модуль 50 А, 1200 В, с выпрямителем, чоппером и датчиком температуры | Infineon Technologies |
IGBT Модули |
1200 | 50 | - | 1.85 | - | - | - | - | - | 280 | - | - | - | 2500 | - | - | - | |
FS100R12KT4G | Трехфазный EconoPIMTM3 IGBT модуль 100 А, 1200 В, с обратным диодом EmCon4 | Infineon Technologies |
IGBT Модули |
1200 | 100 | - | 1.75 | - | - | - | - | - | 515 | - | - | - | 2500 | - | - | - | |
STGIPN3H60A | SLLIMM™-NANO — Компактные монолитные интеллектуальные модули с малыми потерями, 3-фазный инвертер на 3 А, 600 В, быстродействующий IGBT | STMicroelectronics |
IGBT Модули |
600 | 3 | 25 | 2.15 | 90 | 50 | 125 | 18 | 13 | 8 | - | 6 |
Полный мост |
1000 | Да | -40 ... 125 |
|
|
STGIPN3H60 | SLLIMM™-NANO — Компактные монолитные интеллектуальные модули с малыми потерями, 3-фазный инвертер на 3 А, 600 В, быстродействующий IGBT | STMicroelectronics |
IGBT Модули |
600 | 3 | 25 | 2.15 | 90 | 50 | 125 | 18 | 13 | 8 | - | 6 |
Полный мост |
1000 | Да | -40 ... 125 |
|
|
STGIB10CH60TS-L | Интеллектуальный силовой модуль 3-фазного инвертора семейства SLLIMM™ на основе UGBN-транзистора на 600 В / 15 А | STMicroelectronics |
IGBT Модули |
600 | 15 | 25 | 1.95 | 287 | 270 | 370 | 281 | 121 | 66 | - | 6 |
|
1500 | Да | -40 ... 175 |
|
|
FNA23512A | Интеллектуальный модуль питания серии Motion SPM® 2 со встроенным силовым ключом с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В | Fairchild Semiconductor |
IGBT Модули |
1200 | 35 | 25 | 2.5 | 0.65 | 0.2 | 0.55 | - | - | 171 | - | 6 |
|
2500 | Да | -40 ... 150 |
|
|
FNA22512A | Интеллектуальный модуль питания серии Motion SPM® 2 со встроенным силовым ключом с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В | Fairchild Semiconductor |
IGBT Модули |
1200 | 25 | 25 | 2.5 | 0.65 | 0.2 | 0.55 | - | - | 154 | - | 6 |
|
2500 | Да | -40 ... 150 |
|
|
FNA21012A | Интеллектуальный модуль питания серии Motion SPM® 2 со встроенным силовым ключом с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В | Fairchild Semiconductor |
IGBT Модули |
1200 | 10 | 25 | 2.8 | 0.55 | 0.25 | 0.4 | - | - | 93 | - | 6 |
|
2500 | Да | -40 ... 150 |
|