Компоненты группы IGBT Модули

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
IF(FWD) (А)
Кол-во ключей
Конфигурация
VISO (В)
NTC
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 11 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В
Рабочий ток VCE(sat)
В
td(on) (тип.)
нс
tr (тип.)
нс
td(off) (тип.)
нс
EON (тип.)
мДж
EOFF (тип.)
мДж
PD
Вт
IF(FWD)
А
Кол-во ключей Конфигурация VISO
В
NTC TA
°C
Корпус
IC
А
При TC
°C
                                           
FP75R12KT4 Трехфазный EconoPIMTM3 IGBT модуль 75 А, 1200 В, с выпрямителем, чоппером и датчиком температуры Infineon Technologies IGBT Модули
1200 75 - 1.85 - - - - - 385 - - - 2500 - - -
FF450R17ME4_B11 IGBT модуль EconoDUAL™ 3 с выводами PressFIT, с обратным диодом Infineon Technologies IGBT Модули
1700 450 - 2.3 - - - - - 2500 - - - 3400 - - -
FF300R17ME4_B11 IGBT модуль EconoDUAL™ 3 с выводами PressFIT, с обратным диодом Infineon Technologies IGBT Модули
1700 300 - 2.3 - - - - - 1800 - - - 3400 - - -
FF225R17ME4_B11 IGBT модуль EconoDUAL™ 3 с выводами PressFIT, с обратным диодом Infineon Technologies IGBT Модули
1700 225 - 2.3 - - - - - 1500 - - - 3400 - - -
FF600R12ME4_B11 IGBT модуль EconoDUAL™ 3 с выводами PressFIT, с обратным диодом Infineon Technologies IGBT Модули
1200 600 - 2.1 - - - - - 3650 - - - 2500 - - -
FF450R12ME4 IGBT модуль EconoDUAL™ 3 с выводами PressFIT Infineon Technologies IGBT Модули
1200 450 - 2.1 - - - - - 2250 - - - 2500 - - -
FF300R12ME4_B11 IGBT модуль EconoDUAL™ 3 с выводами PressFIT Infineon Technologies IGBT Модули
1200 300 - 2.1 - - - - - 1600 - - - 2500 - - -
FF225R12ME4_B11 IGBT модуль EconoDUAL™ 3 с выводами PressFIT Infineon Technologies IGBT Модули
1200 225 - 2.15 - - - - - 1050 - - - 2500 - - -
FS75R12KT4_B15 IGBT модуль EconoPACKTM2 75 А, 1200 В Infineon Technologies IGBT Модули
1200 75 - 1.85 - - - - - 385 - - - 2500 - - -
FS75R12KT4_B11 IGBT модуль EconoPACKTM2, с выводами PressFIT, с датчиком температуры Infineon Technologies IGBT Модули
1200 75 - 1.85 - - - - - 385 - - - 2500 - - -
FP50R12KT4 Трехфазный EconoPIMTM3 IGBT модуль 50 А, 1200 В, с выпрямителем, чоппером и датчиком температуры Infineon Technologies IGBT Модули
1200 50 - 1.85 - - - - - 280 - - - 2500 - - -
FS100R12KT4G Трехфазный EconoPIMTM3 IGBT модуль 100 А, 1200 В, с обратным диодом EmCon4 Infineon Technologies IGBT Модули
1200 100 - 1.75 - - - - - 515 - - - 2500 - - -
MIXA600AF650TSF XPT™ IGBT-модуль на 650 В, 2x720 А IXYS IGBT Модули
650 490 80 1.8 90 50 100 6 22.8 1750 340 2 Общий анод
3000 Да -40 ... 175 SimBus F
MIXA61H1200ED IGBT модуль 1200В, 85А, конструкция XPT (Xtreme light Punch Through) IXYS IGBT Модули
1200 60 80 1.8 70 40 250 4.5 5.5 290 57 4 Полный мост
3000 Да -40 ... 125 E2-Pack
MWI150-12T8T Sixpack Trench IGBT модуль 1200В, 215А IXYS IGBT Модули
1200 150 80 1.7 270 50 500 15.5 20 690 132 6 Три полумоста
2500 Да -40 ... 125 E3-Pack
MITA10WB1200TMH CBI (Converter - Brake - Inverter) Trench IGBT модуль 1200В, 17А IXYS IGBT Модули
1200 12 80 1.9 55 30 320 0.9 0.75 70 16 7 Три полумоста с 3-фазным выпрямителем
2500 Да -40 ... 125 MiniPak
MWI50-06A7T Sixpack IGBT модуль 600В, 72А IXYS IGBT Модули
600 50 80 1.9 50 60 300 2.3 1.7 225 45 6 Три полумоста
2500 Да -40 ... 150 E2-Pack
MIXA600CF650TSF XPT™ IGBT-модуль на 650 В, 2x720 А IXYS IGBT Модули
650 490 80 1.8 90 50 100 6 22.8 1750 340 2 Общий катод
3000 Да -40 ... 175 SimBus F
MIXA60W1200TED IGBT модуль 1200В, 85А, конструкция XPT (Xtreme light Punch Through) IXYS IGBT Модули
1200 60 80 1.8 70 40 250 4.5 5.5 290 59 6 Три полумоста
3000 Да -40 ... 125 E2-Pack
MIEB100W1200TEH Sixpack SPT+ IGBT модуль 1200В, 183А IXYS IGBT Модули
1200 128 80 1.8 120 55 460 9.5 9.7 630 90 6 Три полумоста
3600 Да -40 ... 125 E3-Pack
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 11 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019