Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

MID550-12A4 IGBT модуль 1200В, 670А

 

Блок-схема

MID550-12A4, IGBT модуль 1200В, 670А

Группа компонентов

IGBT Модули

Основные параметры

VCES,В 1200
Рабочий ток: IC,А 460
Рабочий ток: При TC,°C 80
VCE(sat),В 2.3
td(on) (тип.),нс 100
tr (тип.),нс 60
td(off) (тип.),нс 600
EON (тип.),мДж 64
EOFF (тип.),мДж 59
PD,Вт 2750
IF(FWD),А 80
Кол-во ключей 1
Конфигурация Чоппер
VISO,В 4800
NTC Нет
TA,°C от -40 до 150
Корпус Y3-DCB

Общее описание

Особенности:

  • Vces: 1200В
  • Ic(25): от 90A до 670A
  • NPT и NPT³ IGBT:
    • низкое Vce(sat)
    • малые потери переключения
    • прямоугольная область безопасной работы RBSOA
    • устойчивость к режиму К.З.
    • допустимо параллельное включение (положительный температурный коэфициент)
    • короткий "хвост" тока, оптимально для резонансных схем
  • Ультра-быстрые диоды с мягким восстановлением
  • Корпус с DCB-изолированным медным теплоотводом, напряжение до 2500Vrms
Datasheet
 
Mxx550-12E4 (113 Кб), 03.05.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

Mxx550-12E4 IGBT модуль 1200В, 670А (113 Кб), 03.05.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 803 		Дата публикации: 03.05.2012 09:41
Дата редактирования: 03.05.2012 09:42

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники