Компоненты группы IGBT Модули

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
IF(FWD) (А)
Кол-во ключей
Конфигурация
VISO (В)
NTC
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 11 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В
Рабочий ток VCE(sat)
В
td(on) (тип.)
нс
tr (тип.)
нс
td(off) (тип.)
нс
EON (тип.)
мДж
EOFF (тип.)
мДж
PD
Вт
IF(FWD)
А
Кол-во ключей Конфигурация VISO
В
NTC TA
°C
Корпус
IC
А
При TC
°C
                                           
MIO600-65E11 IGBT модуль 6500В, 600А IXYS IGBT Модули
6500 600 85 4.2 620 270 1500 4250 3250 - 600 3 Три одиночных ключа
10200 Нет -40 ... 125 E11
MIO1200-33E11 IGBT модуль 3300В, 1200А IXYS IGBT Модули
3300 1200 80 3.1 - - - 1750 2000 - 1200 3 Три одиночных ключа
6000 Нет -40 ... 125 E11
MIO1200-33E10 IGBT модуль 3300В, 1200А IXYS IGBT Модули
3300 1200 80 3.1 400 200 1070 1890 1950 - 1200 3 Три одиночных ключа
6000 Нет -40 ... 125 E10
MIO1500-25E10 IGBT модуль 2500В, 1500А IXYS IGBT Модули
2500 1500 80 2.7 - - - 1400 1450 - 1500 3 Три одиночных ключа
5000 Нет -40 ... 125 E10
MIO1200-25E10 IGBT модуль 2500В, 1200А IXYS IGBT Модули
2500 1200 80 2.5 365 250 980 1150 1250 - 1200 3 Три одиночных ключа
5000 Нет -40 ... 125 E10
MIO2400-17E10 IGBT модуль 1700В, 2400А IXYS IGBT Модули
1700 2400 80 2.3 340 260 1050 600 980 - 2400 3 Три одиночных ключа
4000 Нет -40 ... 125 E10
MIO1800-17E10 IGBT модуль 1700В, 1800А IXYS IGBT Модули
1700 1800 80 2.3 285 230 950 530 670 - 1800 3 Три одиночных ключа
4000 Нет -40 ... 125 E10
STGIB10CH60TS-L Интеллектуальный силовой модуль 3-фазного инвертора семейства SLLIMM™ на основе UGBN-транзистора на 600 В / 15 А STMicroelectronics IGBT Модули
600 15 25 1.95 287 270 370 281 121 66 - 6 Inverting
1500 Да -40 ... 175 SDIP2B-26L
STK5Q4U362J-E Интеллектуальные силовые модули с рабочим напряжением до 600 В и током нагрузки 10 А ON Semiconductor IGBT Модули
600 10 100 1.9 0.0013 160 0.0016 300 90 31 - 6 Inverting
2000 Да -20 ... 100 DIP-S3
MWI451-17E9 Sixpack IGBT модуль 1700В, 475А IXYS IGBT Модули
1700 405 80 2.25 100 90 470 90 90 2200 450 6 Три полумоста
3400 Да -40 ... 125 E9-Pak
STK5Q4U352J Интеллектуальные силовые модули с рабочим напряжением до 600 В и током нагрузки 8 А ON Semiconductor IGBT Модули
600 8 100 1.4 0.0013 150 0.0016 250 80 31 - 6 Inverting
2000 Да -20 ... 100 DIP-S3
MWI300-17E9 Sixpack IGBT модуль 1700В, 350А IXYS IGBT Модули
1700 350 80 2.3 180 110 500 100 80 2200 290 6 Три полумоста
3400 Да -40 ... 125 E9-Pak
MID550-12A4 IGBT модуль 1200В, 670А IXYS IGBT Модули
1200 460 80 2.3 100 60 600 64 59 2750 80 1 Чоппер
4800 Нет -40 ... 150 Y3-DCB
MDI550-12A4 IGBT модуль 1200В, 670А IXYS IGBT Модули
1200 460 80 2.3 100 60 600 64 59 2750 80 1 Чоппер
4800 Нет -40 ... 150 Y3-DCB
MWI225-17E9 Sixpack IGBT модуль 1700В, 235А IXYS IGBT Модули
1700 235 80 2.5 180 110 500 66 54 1400 200 6 Три полумоста
2500 Да -40 ... 125 E9-Pak
MIXA450PF1200TSF IGBT модуль 1200В, 450А, конструкция XPT (Xtreme light Punch Through) IXYS IGBT Модули
1200 450 80 2 70 40 250 42 48 2200 450 2 3-level Phase-Leg
3400 Да -40 ... 125 eDUAL
MWI450-12E9 Sixpack IGBT модуль 1200В, 440А IXYS IGBT Модули
1200 440 80 2.2 190 116 475 35 47 2200 450 6 Три полумоста
3400 Да -40 ... 125 E9-Pak
MWI300-12E9 Sixpack IGBT модуль 1200В, 375А IXYS IGBT Модули
1200 375 80 2 180 100 650 19 32 2100 300 6 Три полумоста
3400 Да -40 ... 125 E9-Pak
MID400-12E4T IGBT модуль 1200В, 420А IXYS IGBT Модули
1200 300 80 2.2 170 60 680 44 30 1700 290 1 Чоппер
4000 Да -40 ... 150 Y3-Li
MDI400-12E4 IGBT модуль 1200В, 420А IXYS IGBT Модули
1200 300 80 2.2 170 60 680 44 30 1700 290 1 Чоппер
4000 Нет -40 ... 150 Y3-Li
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 11 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019