Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

MIO600-65E11 IGBT модуль 6500В, 600А

 

Блок-схема

MIO600-65E11, IGBT модуль 6500В, 600А
Увеличить

Группа компонентов

IGBT Модули

Основные параметры

VCES,В 6500
Рабочий ток: IC,А 600
Рабочий ток: При TC,°C 85
VCE(sat),В 4.2
td(on) (тип.),нс 620
tr (тип.),нс 270
td(off) (тип.),нс 1500
EON (тип.),мДж 4250
EOFF (тип.),мДж 3250
IF(FWD),А 600
Кол-во ключей 3
Конфигурация Три одиночных ключа
VISO,В 10200
NTC Нет
TA,°C от -40 до 125
Корпус E11

Общее описание

Особенности:

  • Vces: 1700V, 2500V и 3300V
  • Ic(25): от 1650A до 3300A
  • Малые потери проводимости и переключения по технологии NPT³ IGBT
  • Высокая Э/М совместимость, плавное переключение
  • Стандартные типовые корпуса, высокая мощность, малый габарит
  • Используют AISiC-плату, высокая способность к термоциклированию
  • Оптимизированный теплоотвод за счёт AIN керамики
Datasheet
 
MIO600-65E11 (143.6 Кб), 28.04.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

MIO600-65E11 IGBT модуль 6500В, 600А (143.6 Кб), 28.04.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 1086 		Дата публикации: 28.04.2012 14:37
Дата редактирования: 28.04.2012 14:39

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники