Компоненты группы High Speed SRAM
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | Время выборки нс |
Ток потребления | VCC В |
TA °C |
Корпус | |||
| Слов K |
Разрядов бит |
ICC мА |
ICC Shutdown мкА |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| AS7C31026B | Асинхронная статическая память 64Кх16 и напряжением питания 3.3В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 10 | 20 | 1 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| A61L6316 | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 64Кх16 |
|
AMIC Technology |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 10 | 3 | 500 | 3 ... 3.6 | -25 ... 85 |
|
| AS7C31025C | Асинхронная статическая память 128Кх8 и напряжением питания 3.3В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 10 | 50 | 5 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| AS7C31025B | Асинхронная статическая память 128Кх8 и напряжением питания 3.3В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 10 | 20 | 1 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS61WV25616ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 256Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 10 | 25 | 200 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 125 |
TQFP-100 |
| AS7C31024B | Асинхронная статическая память 128Кх8 и напряжением питания 3.3В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 10 | 20 | 1 | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
| AS7C3513C | Асинхронная статическая память 32К х 16 и напряжением питания 3.3В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
32 | 16 | 10 | 20 | 1 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| AS7C3513B | Асинхронная статическая память 32К х 16 и напряжением питания 3.3В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
32 | 16 | 10 | 20 | 1 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| AS7C3256A | Асинхронная статическая память 32К х 8 и напряжением питания 3.3В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
32 | 8 | 10 | 20 | 1 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| K6R4004C1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 1Мх4 с напряжением питания 5.0В |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
1024 | 4 | 10 | 75 | 5 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| K6R4008C1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 512Кх8 с напряжением питания 5.0В |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 10 | 75 | 5 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| W24L011A | Высокоскоростная ИС статической памяти 128К х 8 |
|
Winbond |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 10 | 130 | 15 | 2.7 ... 3.3 | 0 ... 70 |
|
| K6R4016C1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 256Кх16 с напряжением питания 5.0В |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 10 | 65 | 5 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| AS7C4098A | Асинхронная статическая память 256Кх16 и напряжением питания 5В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 10 | 20 | 1 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| AS7C4096A | Асинхронная статическая память 512Кх8 и напряжением питания 5В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 10 | 20 | 1 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS61LV256AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 10 | 25 | 50 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IDT71V424L | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (512Кх8) и напряжением 3.3В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 10 | 165 | 5 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
| IS61LF6432A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 64Кх32 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
64 | 32 | 8.5 | 150 | 75 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| IS61LF6436A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 64Кх36 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
64 | 36 | 8.5 | 150 | 75 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| IS64WV20488ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 2Мх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
2048 | 8 | 8 | 140 | 700 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
