+ IDT71T016SA, Асинхронная статическая память объемом 1Мб (64Кх16) и напряжением 2.5В
 

IDT71T016SA Асинхронная статическая память объемом 1Мб (64Кх16) и напряжением 2.5В

 

Блок-схема

IDT71T016SA, Асинхронная статическая память объемом 1Мб (64Кх16) и напряжением 2.5В
Увеличить

Группа компонентов

High Speed SRAM

Основные параметры

Организация: Слов,K 64
Организация: Разрядов,бит 16
Время
выборки
,нс
10
Ток потребления: ICC,мА 160
Ток потребления: ICC Shutdown,мкА 5
VCC от -40 до 85
TA,°C от 2.375 до 2.625
Корпус FBGA-48 SOJ-44 TSOP-44
Datasheet
 
IDT71T016SA (477.2 Кб), 23.04.2008

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IDT71T016SA Асинхронная статическая память объемом 1Мб (64Кх16) и напряжением 2.5В (477.2 Кб), 23.04.2008




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 1756
Дата публикации: 23.04.2008 13:00
Дата редактирования: 14.01.2009 15:28


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019