Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 404 405 406 407 408 409 410 411 412 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXFK20N80Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 420 420 420 420 420 20 360 TO-264AA
IXFH20N80Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 420 420 420 420 420 20 360 TO-247AD
IXFT20N80Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 420 420 420 420 420 20 360 TO-268
BSH205 P-channel enhancement mode MOS transistor NXP MOSFET
 P 1 12 420 - 320 180 - 0.75 0.417 SOT-23-3
IXTP16N50PM Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 420 420 420 420 420 7.5 75 TO-220
IXFR24N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 420 420 420 420 420 13 208 ISOPLUS247
IXFN23N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 430 430 430 430 430 23 600 SOT-227 B
IXFE23N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 430 430 430 430 430 21 500 ISOPLUS-227
NTK3134N Power MOSFET 20 V, 890 mA, Single N?Channel with ESD Protection, SOT?723 ON Semiconductor MOSFET
 N 1 20 430 - - 200 - 0.89 0.45 SOT-723
IXFR26N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 430 430 430 430 430 15 290 ISOPLUS247
IXFK24N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 440 440 440 440 440 24 1000 TO-264
IXFX24N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 440 440 440 440 440 24 1000 PLUS247
Si1046X N-Channel 20-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
 N 1 20 440 - 440 340 - 0.6 0.25 SC89-3
Si1305EDL P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
 P 1 8 440 - 315 230 - 0.86 0.29 SC70-3
Si1305DL P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
 P 1 8 440 - 315 230 - 0.86 0.29 SC70-3
IXTT20P50P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -500 450 450 450 450 450 -20 462 TO-268
IXTH20P50P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -500 450 450 450 450 450 -20 462 TO-247
IXFK24N90Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 450 450 450 450 450 24 500 TO-264AA
IXFX24N90Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 450 450 450 450 450 24 500 PLUS247
IXTN30N100L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 1000 450 450 450 450 450 30 800 SOT-227 B
Страницы: предыдущая 1 ... 404 405 406 407 408 409 410 411 412 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники