Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 407 408 409 410 411 412 413 414 415 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
TK15D60U Silicon N Channel MOS Type (DTMOS) Toshiba MOSFET
 N 1 600 - - - - 240 15 170 TO-220W
TK15J60U Silicon N Channel MOS Type (DTMOS) Toshiba MOSFET
 N 1 600 - - - - 240 15 170 TO-3P
TK15X60U Silicon N Channel MOS Type (DTMOS) Toshiba MOSFET
 N 1 600 - - - - 240 15 125 TFP (SMD)
TK20A60U Silicon N Channel MOS Type (DTMOS) Toshiba MOSFET
 N 1 600 - - - - 165 20 45 TO-220SIS
TK20D60U Silicon N Channel MOS Type (DTMOS) Toshiba MOSFET
 N 1 600 - - - - 165 20 190 TO-220W
TK20J60U Silicon N Channel MOS Type (DTMOS) Toshiba MOSFET
 N 1 600 - - - - 165 20 190 TO-3P
TK20S04K3L Силовой N-канальный MOSFET-транзистор для автомобильных приложений Toshiba MOSFET
 N 1 40 - - - - 14 20 38 DPAK-3
TK20S06K3L Силовой N-канальный MOSFET-транзистор для автомобильных приложений Toshiba MOSFET
 N 1 60 - - - - 29 20 38 DPAK-3
TK20X60U Silicon N Channel MOS Type (DTMOS) Toshiba MOSFET
 N 1 600 - - - - 165 20 150 TFP (SMD)
TK25Z60X N-канальныq MOSFET транзистор семейства DTMOS IV-H с рабочим напряжением 600 В Toshiba MOSFET
 N 1 600 - - - - 12.5 25 180 TO-247-4
TK2P60D N Channel MOS Type (π-MOSⅦ) Toshiba MOSFET
 N 1 600 - - - - 4300 2 60 DPAK-3
TK30S06K3L Силовой N-канальный MOSFET-транзистор для автомобильных приложений Toshiba MOSFET
 N 1 60 - - - - 18 30 58 DPAK-3
TK31Z60X N-канальныq MOSFET транзистор семейства DTMOS IV-H с рабочим напряжением 600 В Toshiba MOSFET
 N 1 600 - - - - 88 30.8 230 TO-247-4
TK35S04K3L Силовой N-канальный MOSFET-транзистор для автомобильных приложений Toshiba MOSFET
 N 1 40 - - - - 10.3 70 58 DPAK-3
TK39Z60X N-канальныq MOSFET транзистор семейства DTMOS IV-H с рабочим напряжением 600 В Toshiba MOSFET
 N 1 600 - - - - 65 38.8 270 TO-247-4
TK40J60T Silicon N Channel MOS Type (DTMOS) Toshiba MOSFET
 N 1 600 - - - - 68 40 400 TO-3P
TK40S10K3Z Силовой N-канальный MOSFET-транзистор для автомобильных приложений Toshiba MOSFET
 N 1 100 - - - - 18 40 93 DPAK-3
TK4P60DA N Channel MOS Type (π-MOSⅦ) Toshiba MOSFET
 N 1 600 - - - - 2200 3.5 80 DPAK-3
TK5A60W Силовой N-канальный MOSFET-транзистор, технология DTMOS-IV Toshiba MOSFET
 N 1 600 900 900 900 900 900 5.4 30 TO-220SIS
TK5P60W Силовой N-канальный MOSFET-транзистор, технология DTMOS-IV Toshiba MOSFET
 N 1 600 900 900 900 900 900 5.4 60 D-PAK
Страницы: предыдущая 1 ... 407 408 409 410 411 412 413 414 415 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники