Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
TSM1N45CW Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 450 В, 0.25 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 450 - - - - 4250 0.25 15 SOT-223-3
TSM1N50CT Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 500 В, 0.5 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 500 - - - - 5500 0.5 0.625 TO-92
TSM1N80CW Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 800 В, 0.15 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 800 - - - - 21600 0.15 2.1 SOT-223-3
TSM1NB60CH Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 600 В, 0.5 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 600 - - - - 10000 0.5 39 TO-251
TSM1NB60CP Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 600 В, 0.5 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 600 - - - - 10000 0.5 39 TO-252
TSM1NB60CW Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 600 В, 0.5 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 600 - - - - 10000 0.5 2.1 SOT-223-3
TSM1NB60SCT Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 600 В, 0.5 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 600 - - - - 10000 0.5 2.5 TO-92
TSM20N50CI Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 500 В, 18 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 500 - - - - 300 18 - ITO-220AB
TSM20N50CZ Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 500 В, 18 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 500 - - - - 300 18 - TO-220
TSM210N06CZ Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 60 В, 210 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - 3.1 210 250 TO-220
TSM2301ACX P-канальный MOSFET транзистор, -20 В, -2.8 А Taiwan Semiconductor MOSFET
P 1 -20 - 190 - 130 - -2.8 0.7 SOT-23-3
TSM2301BCX P-канальный MOSFET транзистор, -20 В, -2.8 А Taiwan Semiconductor MOSFET
P 1 -20 190 150 - 100 - -2.8 0.9 SOT-23-3
TSM2301CX P-канальный MOSFET транзистор, -20 В, -2.8 А Taiwan Semiconductor MOSFET
P 1 -20 - 190 - 130 - -2.8 0.9 SOT-23-3
TSM2302CX N-канальный MOSFET транзистор, 20 В, 2.8 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 20 - 95 - 65 - 2.8 1.25 SOT-23-3
TSM2303CX P-канальный MOSFET транзистор, -20 В, -3.2 А Taiwan Semiconductor MOSFET
P 1 -20 130 80 - 55 - -3.2 1.25 SOT-23-3
TSM2303CX P-канальный MOSFET транзистор, -30 В, -1.3 А Taiwan Semiconductor MOSFET
P 1 -30 - - - 300 180 -1.3 0.7 SOT-23-3
TSM2306CX N-канальный MOSFET транзистор, 30 В, 3.5 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 30 - - - 94 57 3.5 1.25 SOT-23-3
TSM2307CX P-канальный MOSFET транзистор, -30 В, -3 А Taiwan Semiconductor MOSFET
P 1 -30 - - - 140 95 -3 1.25 SOT-23-3
TSM2308CX N-канальный MOSFET транзистор, 60 В, 3 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - 192 156 3 1.25 SOT-23-3
TSM2310CX N-канальный MOSFET транзистор, 20 В, 4 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 20 100 40 - 30 - 4 1.25 SOT-23-3




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019