Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 410 411 412 413 414 415 416 417 418 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
TPW4R008NH N-канальный MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток 80 В Toshiba MOSFET
 N 1 80 - - - - 4 116 142 DSOP-8
TPW4R50ANH N-канальный MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток 80 В Toshiba MOSFET
 N 1 100 - - - - 4.5 92 142 DSOP-8
TPWR8004PL N-канальный MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток 40 В Toshiba MOSFET
 N 1 40 - - - 1.35 0.8 150 170 DSOP-8
TPWR8503NL N-канальный MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток 30 В Toshiba MOSFET
 N 1 30 - - - 1.3 0.85 150 142 DSOP-8
TSM05N03 N-канальный MOSFET транзистор, 30 В, 5 А Taiwan Semiconductor MOSFET
 N 1 30 - - - 90 60 5 3 SOT-223-3
TSM100N06 Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 60 В, 100 А Taiwan Semiconductor MOSFET
 N 1 60 - - - - 6.7 100 167 TO-220
TSM10N06CP N-канальный MOSFET транзистор, 60 В, 10 А Taiwan Semiconductor MOSFET
 N 1 60 - - - 80 65 10 45 TO-252
TSM10N60CI N-канальный MOSFET транзистор, 600 В, 10 А Taiwan Semiconductor MOSFET
 N 1 600 - - - - 750 10 50 ITO-220AB
TSM10N80CI Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 800 В, 9.5 А Taiwan Semiconductor MOSFET
 N 1 800 - - - - 1050 9.5 - ITO-220AB
TSM10N80CZ Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 800 В, 9.5 А Taiwan Semiconductor MOSFET
 N 1 800 - - - - 1050 9.5 - TO-220
TSM10P06CP P-канальный MOSFET транзистор, -60 В, -10 А Taiwan Semiconductor MOSFET
 P 1 -60 - - - 220 170 -10 37 TO-252
TSM12N65CI Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 650 В, 6 А Taiwan Semiconductor MOSFET
 N 1 650 - - - - 800 6 45 ITO-220AB
TSM13N50CI Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 500 В, 13 А Taiwan Semiconductor MOSFET
 N 1 500 - - - - 480 13 - ITO-220AB
TSM15N03PQ33 Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 30 В, 7.8 А Taiwan Semiconductor MOSFET
 N 1 30 - - - 17 12 7.8 15.6 PDFN-33
TSM15N15CP Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 150 В, 12 А Taiwan Semiconductor MOSFET
 N 1 150 - - - - 75 12 15.6 TO-252
TSM15N50CI Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 500 В, 14 А Taiwan Semiconductor MOSFET
 N 1 500 - - - - 440 14 - ITO-220AB
TSM160N10CZ Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 100 В, 160 А Taiwan Semiconductor MOSFET
 N 1 100 - - - - 5.5 160 300 TO-220
TSM190N08CZ Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 75 В, 190 А Taiwan Semiconductor MOSFET
 N 1 70 - - - - 4.2 190 250 TO-220
TSM19N20CP Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 200 В, 18 А Taiwan Semiconductor MOSFET
 N 1 200 - - - - 92 18 48 TO-252
TSM1N45CT Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 450 В, 0.25 А Taiwan Semiconductor MOSFET
 N 1 450 - - - - 4250 0.25 2 TO-92
Страницы: предыдущая 1 ... 410 411 412 413 414 415 416 417 418 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники