Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 427 428 429 430 431  

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IPP45P03P4L-11 P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
P 1 -30 - - - 13.1 9 -45 58 TO-220
ZVP4525E6 250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Zetex MOSFET
P 1 -250 - - - - 10000 -0.197 1.1 SOT-23-6
Si3475DV P-Channel 200-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 200 - - - - 1340 0.95 3.2 TSOP-6
IRL5602S HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
P 1 20 - - 62 42 - 24 75 D2-PAK
FDMC86261P P-канальный MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток -150 В, выполненный по технологии PowerTrench® Fairchild Semiconductor MOSFET
P 1 -150 - - - - 160 -9 40 MLP 3.3x3.3
IRF9520S HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
P 1 100 - - - - 600 6.8 60 D2-PAK
NTF5P03T3 Power MOSFET 5.2 Amps, 30 Volts P?Channel SOT?223 ON Semiconductor MOSFET
P 1 -30 - - - 107 76 -5.2 3.13 SOT-223-4
Si5853CDC P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode Vishay MOSFET
P 1 20 170 - 120 86 - 4 3.1 ChipFET_1206-8
Страницы: предыдущая 1 ... 427 428 429 430 431  




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019