Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| NCV8405 | Защищенные MOSFET-транзисторы для управления вторичными цепями |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 42 | - | - | - | - | 90 | 6 | 11.4 |
SOT-223-4 |
| IRLR8743PBF | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 3.9 | 3.1 | 160 | 135 |
D-PAK |
| STB180N10F3 | N-channel 100 V, 4.0 m?, 120 A STripFET™ Power MOSFET D2PAK |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 4.5 | 120 | 315 |
D2-PAK |
| FDB5800 | N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 5.8 | 4.6 | 80 | 242 |
|
| STP11NM80 | N-channel 800 V - 0.35 ? - 11 A - TO-220 MDmesh™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 350 | 11 | 150 |
TO-220 |
| IRFPC40 | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 1200 | 6.8 | 150 |
TO-247AC |
| SUD17N25-165 | N-Channel 250-V (D-S) 175°C MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 250 | - | - | - | - | 131 | 17 | 136 |
D-PAK |
| IXFR200N10P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 9 | 9 | 9 | 9 | 9 | 133 | 300 |
|
| IPB80N06S4L-07 | N-Channel 60V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 7.6 | 5.2 | 80 | 79 |
TO-263-3 |
| IRFU2405 | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 55 | - | - | - | - | 16 | 56 | 110 |
|
| STB200NF04L | N-CHANNEL 40V - 3 m? - 120 A D?PAK/I?PAK STripFET™ II MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 3.8 | 120 | 300 |
D2-PAK |
| HUF75329S3S | N-Channel UltraFET Power MOSFETs |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 55 | - | - | - | - | 20 | 49 | 128 |
|
| STB3NK60Z | N-CHANNEL 600V - 3.3W - 2.4A D2PAK Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 3300 | 2.4 | 45 |
D2-PAK |
| IRFB20N50K | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 210 | 20 | 280 |
TO-220AB |
| FDMS7672 | N-канальный MOSFET-транзистор PowerTrench® 30 В, 28 А, 5.0 мОм |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 6.9 | 5 | 28 | 48 |
Power 56 |
| IXFR44N50Q3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 154 | 154 | 154 | 154 | 154 | 25 | 300 |
|
| Si8402DB | 20-V N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 20 | 35 | - | 33 | 31 | - | 5.3 | 1.47 |
|
| STB16NM50N | N-channel 500 V - 0.21 ? - 15 A MDmesh™ II Power MOSFET D2PAK |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 210 | 15 | 125 |
D2-PAK |
| IPAN80R280P7 | Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 280 | 17 | 30 |
|
| NTMS4802N | Power MOSFET 30 V, 18 A, N?Channel, SOIC?8 |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 4.3 | 3.2 | 18 | 2.5 |
SOIC-8 |
