Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 9 10 11 12 13 14 15 16 17 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXTB62N50L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 500 100 100 100 100 100 62 800 PLUS264
IXTK180N15P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 150 10 10 10 10 10 180 800 TO-264
IXTK200N10P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 100 7.5 7.5 7.5 7.5 7.5 200 800 TO-264
IXTN30N100L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 1000 450 450 450 450 450 30 800 SOT-227 B
IXTB30N100L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 1000 450 450 450 450 450 30 800 PLUS264
TK100L60W Силовой высокоэффективный, высокоскоростной N-канальный MOSFET-транзистор на 600 В Toshiba MOSFET
 N 1 600 - - - - 15 100 797 TO-3P
IXFN80N50Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 65 65 65 65 65 63 780 SOT-227 B
IXFN44N80Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 190 190 190 190 190 37 780 SOT-227 B
IXFX20N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 570 570 570 570 570 20 780 PLUS247
IXFK20N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 570 570 570 570 570 20 780 TO-264
IXFX26N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 390 390 390 390 390 26 780 PLUS247
IXFK26N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 390 390 390 390 390 26 780 TO-264
IXFN32N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 320 320 320 320 320 28 780 SOT-227 B
IXFN80N50 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 55 55 55 55 55 80 780 SOT-227 B
IXFK20N120 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 750 750 750 750 750 20 780 TO-264AA
IXFX20N120 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 750 750 750 750 750 20 780 PLUS247
IXFN20N120 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 750 750 750 750 750 20 780 SOT-227 B
IXTV102N20T N-канальный силовой TrenchHV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 200 23 23 23 23 23 102 750 PLUS220
IXTQ102N20T N-канальный силовой TrenchHV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 200 23 23 23 23 23 102 750 TO-3P
IXTH102N20T N-канальный силовой TrenchHV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 200 23 23 23 23 23 102 750 TO-247
Страницы: предыдущая 1 ... 9 10 11 12 13 14 15 16 17 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники