Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| CYF0018V | FIFO с высокой плотностью памяти объемом 18 Мбит |
|
Cypress |
FIFO |
- | - | 1.7 ... 1.9 | -40 ... 85 |
|
| IS61NVVP51236 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 512Кх36 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 36 | 1.71 ... 1.89 | -40 ... 85 |
|
| IS61NVVP25672 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 256Кх72 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 72 | 1.71 ... 1.89 | -40 ... 85 |
|
| IS61QDB24M18 | Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 72Мб (4Mx18) |
|
ISSI |
SRAM High Speed SRAM |
4096 | 18 | 1.71 ... 1.89 | 0 ... 70 |
|
| IS61QDB22M36 | Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 72Мб (2Mx36) |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
2048 | 36 | 1.71 ... 1.89 | 0 ... 70 |
|
| IS61QDB44M18 | Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 72Мб (4Mx18) |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
4096 | 18 | 1.71 ... 1.89 | 0 ... 70 |
|
| IS61QDB42M36 | Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 72Мб (2Mx36) |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
2048 | 36 | 1.71 ... 1.89 | 0 ... 70 |
|
| IS61QDB22M18 | Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 36Мб (2Mx18) |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
2048 | 18 | 1.71 ... 1.89 | 0 ... 70 |
|
| IS61QDB21M36 | Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 36Мб (1Mx36) |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 36 | 1.71 ... 1.89 | 0 ... 70 |
|
| IS61QDB42M18 | Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 36Мб (2Mx18) |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
2048 | 18 | 1.71 ... 1.89 | 0 ... 70 |
|
| IS61QDB41M36 | Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 36Мб (1Mx36) |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 36 | 1.71 ... 1.89 | 0 ... 70 |
|
| TC58CYG2S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит |
|
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 1.675 ... 1.8 | -40 ... 85 |
|
| TC58CYG1S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит |
|
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 1.675 ... 1.8 | -40 ... 85 |
|
| TC58CYG0S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит |
|
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 1.675 ... 1.8 | -40 ... 85 |
|
| CY7C4142KV13 | Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (XP SRAM) QDR®-IV 144 Мбит (4M x36), 1066 МГц |
|
Cypress |
High Speed SRAM |
4096 | 36 | 1.26 ... 1.34 | 0 ... 70 |
|
| CY7C4122KV13 | Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (XP SRAM) QDR®-IV 144 Мбит (8M x18), 1066 МГц |
|
Cypress |
High Speed SRAM |
8192 | 18 | 1.26 ... 1.34 | 0 ... 70 |
|
| CY7C4141KV13 | Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (HP SRAM) QDR®-IV 144 Мбит (4M x36), 667 МГц |
|
Cypress |
High Speed SRAM |
4096 | 36 | 1.26 ... 1.34 | 0 ... 70 |
|
| CY7C4121KV13 | Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (HP SRAM) QDR®-IV 144 Мбит (8M x18), 667 МГц |
|
Cypress |
High Speed SRAM |
8192 | 18 | 1.26 ... 1.34 | 0 ... 70 |
|
| CY7C4042KV13 | Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (XP SRAM) QDR®-IV 72 Мбит (2 M × 36), 1066 МГц |
|
Cypress |
High Speed SRAM |
2048 | 36 | 1.26 ... 1.34 | 0 ... 70 |
|
| CY7C4022KV13 | Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (XP SRAM) QDR®-IV 72 Мбит (4 M × 18), 1066 МГц |
|
Cypress |
High Speed SRAM |
4096 | 18 | 1.26 ... 1.34 | 0 ... 70 |
|
