Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| M48Z02 | Энергонезависимая SRAM объемом 16Кб с функцией долговременного хранения данных |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
2 | 8 | 4.75 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
| HY27US161G1M | 1 Гбит (64М х 16 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 USOPI-48 |
| IDT72V06L35J | 3.3-вольтовая асинхронная FIFO организацией 16K x 9, 35 нс, 0°C...+70°C |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
| DS1742W | Энергонезависимая SRAM с Y2K-совместимыми часами реального времени |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
2 | 8 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
MOD-24 |
| IDT7200L20TP | Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 20 нс, 0°C...+70°C |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
| CY7C4271-15AXC | Синхронная FIFO организацией 32K x 9, 15 нс, 0°C...+70°C |
|
Cypress |
Синхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
| A67L0618 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ Zero Bus Latency (ZeBL) 1Мх18 |
|
AMIC Technology |
High Speed SRAM |
1024 | 18 | 3.135 ... 3.465 | 0 ... 70 |
LQFP-100 |
| M48Z12 | Энергонезависимая SRAM объемом 16Кб с функцией долговременного хранения данных |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
2 | 8 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
| HY27US081G1M | 1 Гбит (128М х 8 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 USOPI-48 |
| IDT71256L | Асинхронная статическая память объемом 256К (32Кх8) |
|
IDT |
High Speed SRAM |
32 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 5.585 |
PDIP-28 |
| IDT71128 | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (256Кх4) |
|
IDT |
High Speed SRAM |
256 | 4 | -40 ... 85 | 4.5 ... 5.5 |
|
| IDT71124 | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (128Кх8) |
|
IDT |
High Speed SRAM |
128 | 8 | -40 ... 85 | 4.5 ... 5.5 |
|
| IDT71028 | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (256Кх4) |
|
IDT |
High Speed SRAM |
256 | 4 | -40 ... 85 | 4.5 ... 5.5 |
|
| IDT71024S | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (128Кх8) |
|
IDT |
High Speed SRAM |
128 | 8 | -40 ... 85 | 4.5 ... 5.5 |
|
| IDT71V424L | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (512Кх8) и напряжением 3.3В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
512 | 8 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
| IDT71V424S | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (512Кх8) и напряжением 3.3В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
512 | 8 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
| IDT71V416L | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (256Кх16) и напряжением 3.3В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
256 | 16 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
| IDT71V416S | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (256Кх16) и напряжением 3.3В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
256 | 16 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
| IDT71V124SA | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (128Кх8) и напряжением 3.3В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
128 | 8 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
| IDT71V016SA | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (64Кх16) и напряжением 3.3В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
64 | 16 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
