Компоненты группы Память

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: предыдущая 1 ... 55 56 57 58 59 60 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                   
1636РР2АУ 16 Мбит, микросхема электрически стираемого и перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства Flash-типа Миландр NOR Flash
2048 8 3 ... 3.6 -60 ... 125 Н16.48-1В
IS61LPS204818A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 36Мб 2Мх18 ISSI High Speed SRAM
2048 18 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-165
BH62UV1601 Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 16Мб Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) Low Power SRAM
2048 8 1.65 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-48
IS66WVE4M16BLL Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 64Mb ISSI High Speed SRAM
4096 16 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPI-48
TFBGA-48
IS61QDB24M18 Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 72Мб (4Mx18) ISSI SRAM
High Speed SRAM
4096 18 1.71 ... 1.89 0 ... 70 FBGA-165
IS61QDB44M18 Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 72Мб (4Mx18) ISSI High Speed SRAM
4096 18 1.71 ... 1.89 0 ... 70 FBGA-165
CY7C4142KV13 Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (XP SRAM) QDR®-IV 144 Мбит (4M x36), 1066 МГц Cypress High Speed SRAM
4096 36 1.26 ... 1.34 0 ... 70 FCBGA-361
CY7C4141KV13 Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (HP SRAM) QDR®-IV 144 Мбит (4M x36), 667 МГц Cypress High Speed SRAM
4096 36 1.26 ... 1.34 0 ... 70 FCBGA-361
R1WV6416-7S 64 Mb SRAM из семейства Advanced LPSRAM Renesas Low Power SRAM
4096 16 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPI-48
?TSOP-52
FBGA-48
R1WV6416-5S 64 Mb SRAM из семейства Advanced LPSRAM Renesas Low Power SRAM
4096 16 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPI-48
?TSOP-52
FBGA-48
CY7C4022KV13 Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (XP SRAM) QDR®-IV 72 Мбит (4 M × 18), 1066 МГц Cypress High Speed SRAM
4096 18 1.26 ... 1.34 0 ... 70 FCBGA-361
CY7C4021KV13 Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (SRAM) QDR®-IV 72 Мбит (4M x18), 667 МГц Cypress High Speed SRAM
4096 18 1.26 ... 1.34 0 ... 70 FCBGA-361
CY7C4122KV13 Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (XP SRAM) QDR®-IV 144 Мбит (8M x18), 1066 МГц Cypress High Speed SRAM
8192 18 1.26 ... 1.34 0 ... 70 FCBGA-361
CY7C4121KV13 Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (HP SRAM) QDR®-IV 144 Мбит (8M x18), 667 МГц Cypress High Speed SRAM
8192 18 1.26 ... 1.34 0 ... 70 FCBGA-361
M29DW128G 128Мб, 3В Flash память с организацией 8Мб х 16 Numonyx NOR Flash
8192 16 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TBGA-64
TSOP-56
AT45DCB002D 2 МB, 2.7В DataFlash® Cards Atmel Corporation Flash Card
16384 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 DataFlash Card-7
M29W128GL 128Мб, 3В Flash память с организацией 16Мб х 8 или 8Мб х 16 Numonyx NOR Flash
16384 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 LBGA-64
TBGA-64
TSOP-56
M29W128GH 128Мб, 3В Flash память с организацией 16Мб х 8 или 8Мб х 16 Numonyx NOR Flash
16384 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 LBGA-64
TBGA-64
TSOP-56
M29W256GL 256Мб, 3В Flash память с организацией 32Мб х 8 или 16Мб х 16 Numonyx NOR Flash
16384 16 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 LBGA-64
TBGA-64
TSOP-56
M29W256GH 256Мб, 3В Flash память с организацией 32Мб х 8 или 16Мб х 16 Numonyx NOR Flash
16384 16 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 LBGA-64
TBGA-64
TSOP-56
Страницы: предыдущая 1 ... 55 56 57 58 59 60 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019