+ CY7C4141KV13, Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (HP SRAM) QDR®-IV 144 Мбит (4M x36), 667 МГц
 

CY7C4141KV13 Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (HP SRAM) QDR®-IV 144 Мбит (4M x36), 667 МГц

 

Блок-схема

CY7C4141KV13, Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (HP SRAM) QDR®-IV 144 Мбит (4M x36), 667 МГц
Увеличить

Группа компонентов

High Speed SRAM

Основные параметры

Организация: Слов,K 4096
Организация: Разрядов,бит 36
Время
выборки
,нс
3
Ток потребления: ICC,мА 3200
VCC от 1.26 до 1.34
TA,°C от 0 до 70
Корпус FCBGA-361

Общее описание

Преимущества QDR SRAM памяти:

Архитектура QDR SRAM предоставляет произвольный доступ к памяти, необходимый для сетевых и других высокопроизводительных приложений. В этих приложениях память является «узким местом», ограничивающим дальнейший рост производительности системы. Например, в сетевых системах каждый пакет данных требует проведения нескольких транзакций с произвольным доступом к памяти. Поэтому скорость обработки пакета в системе зависит от того, насколько быстро можно обеспечить доступ к памяти. Модули QDR SRAM имеют скорость транзакций доступа к памяти намного выше, чем у традиционных модулей, и таким образом способны устранить указанное выше «бутылочное горлышко», повышая производительность системы. Типовое значение скорости транзакции для QDR-IV SRAM составляет до 2132 Мтранз./с. Такой уровень является критическим для перехода к следующему поколению высокопроизводительных систем.

Отличительные особенности:

  • Встроенный модуль коррекции ошибок обеспечивает целостность данных и исключает программные ошибки
  • Модули доступны в двух версиях: QDR-IV HP (скорость передачи данных 1334 Мтранз./с) и QDR-IV XP (скорость передачи данных 2132 Мтранз./с)
  • Два независимых двунаправленных порта данных памяти DDR1
  • Функция инверсии шины для снижения шумов при одновременном подключении линий ввода и вывода
  • Встроенная схема согласования (ODT) снижает сложность плат
  • Тренинг на перекос для улучшения временных характеристик захвата сигнала
  • Уровень сигналов ввода-вывода: от 1.2 В до 1.25 В (высокоскоростная приёмопередающая логика (HSTL)/терминированная логика (SSTL)), от 1.1 В до 1.2 В (POD2)
  • 361-выводной корпус FCBGA3
  • Разрядность шины: x18, x36 бит
Datasheet
 
CY7C4121KV13, CY7C4141KV13 (1.2 Мб), 03.07.2014

Производитель
 

Где купить
 


Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

CY7C4121KV13, CY7C4141KV13 Высокопроизводительная синхронная статическая память с произвольным доступом (HP SRAM) QDR®-IV 144 Мбит, 667 МГц (1.2 Мб), 03.07.2014




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 1153
Дата публикации: 03.07.2014 13:25
Дата редактирования: 03.07.2014 13:25


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019