Компоненты группы Память

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: предыдущая 1 ... 55 56 57 58 59 60 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                   
AT45DB041B 4 Мбит, 2.5- или 2.7-вольтовая ИС Flash памяти семейства DataFlash® Atmel Corporation DataFlash
- 8 2.5 ... 3.6 -40 ... 85 SOIC-28
SOIC-8
CASON-8
CBGA-14 (3x5)
TSOP28
K9F4G08U0A 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPI-48
ULGA-52
IDT7200L50J Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 50 нс, 0°C...+70°C IDT Асинхронная FIFO
- 9 4.5 ... 5.5 0 ... 70 PLCC-32
KFG4GH6U4M 4Гбит (256М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 FBGA-63
AT45DB041E 1.65...3.6 В, 4 Мбит (+ 128 Кбит дополнительно), последовательная Flash память серии DataFlash® Adesto Technologies DataFlash
- 8 1.65 ... 3.6 -40 ... 85 SOIC-8
UBGA-9
UDFN-8
TC58NVG1S3CTA00 256М х 8 бит NAND FLASH Toshiba NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 TSOPI-48
CY7C4265–10ASXC Синхронная FIFO организацией 16K x 18, 10 нс, 0°C...+70°C Cypress Синхронная FIFO
- 18 4.5 ... 5.5 0 ... 70 TQFP-64
NAND01GR3B2C 1Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -40 ... 85 FBGA-63
HY27US161G1M 1 Гбит (64М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 TSOPI-48
USOPI-48
IDT72V06L35J 3.3-вольтовая асинхронная FIFO организацией 16K x 9, 35 нс, 0°C...+70°C IDT Асинхронная FIFO
- 9 3 ... 3.6 0 ... 70 PLCC-32
KFM2G16Q2A 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
AT45DQ161 16 Мбит (+512 Кбит), последовательная DataFlash память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.3 В, постраничное/поблочное/посекторное стирание, побайтовая/постраничная (512 байт) запись, функция записи/чтения двух или четырех бит за один такт Adesto Technologies Serial Flash
- 8 2.3 ... 3.6 -40 ... 85 SOIC-8
UBGA-9
SOIC (EIAJ) 8
UDFN-8
M45PE20 2Мб, 75МГц постраничностираемая, побайтноизменяемая последовательная Flash память с интерфейсом SPI Numonyx Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 SOIC-8
VFQFPN-8
AT45DB021D 2.7 В, 2 Мбит, последовательная Flash память семейства DataFlash® Adesto Technologies DataFlash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 SOIC-8
UDFN-8
K9F2G08U0A 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPI-48
ULGA-52
IDT7200L20TP Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 20 нс, 0°C...+70°C IDT Асинхронная FIFO
- 9 4.5 ... 5.5 0 ... 70 SDIP-28
KFG4GH6Q4M 4Гбит (256М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
TC58NVG0S3CBAJ5 128М х 8 бит NAND FLASH Toshiba NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 FBGA-63
CY7C4271-15AXC Синхронная FIFO организацией 32K x 9, 15 нс, 0°C...+70°C Cypress Синхронная FIFO
- 9 4.5 ... 5.5 0 ... 70 TQFP-32
NAND02GW3B2C 2Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPI-48
Страницы: предыдущая 1 ... 55 56 57 58 59 60 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019