Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IS61WV5128ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| MTFDDAK240MBD | Твердотельный накопитель данных объемом 240 ГБ |
|
Micron |
Твердотельные диски NAND Flash+PSRAM |
- | - | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 | - |
| AT24C1024B | 2-х проводная SEEPROM с объемом памяти 1М |
|
Atmel Corporation |
SEEPROM |
1024 | 8 | 1.8 ... 5.5 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| R1LP0408C-5S | 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS61LF102418A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 1Мх18 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 18 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| CY62157ESL | Статическая память объемом 8Mb (512Kx16) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 2.2 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| DS3065W | Энергонезависимая SRAM объемом 8Мб, напряжением 3.3В и встроенным RTC |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
1024 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| AT45DB021E | 1.65...3.6 В, 2 Мбит (+ 64 Кбит дополнительно), последовательная Flash память серии DataFlash® |
|
Adesto Technologies |
DataFlash |
- | 8 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 UBGA-9 |
| M25PE10 | 1Мб, 75МГц постраничностираемая, побайтноизменяемая последовательная Flash память с интерфейсом SPI |
|
Numonyx |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| DS1557 | Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с Y2K-совместимыми часами реального времени |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
PCM-34 |
| IS62WV51216ALL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 512Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 16 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| AT26DF161 | Flash память для хранения программного кода из семейства DataFlash емкостью 16 Мбит, напряжением питания 2.7В и последовательным интерфейсом доступа |
|
Atmel Corporation |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 VDFN-8 |
| K9F1208U0C | 512 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 |
| IS61NVF25636A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 9Мб 256Кх36 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 36 | 2.375 ... 2.75 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| DS1330Y | Энергонезависимая SRAM емкостью 256К со встроенной литиевой батареей |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
32 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
PCM-34 |
| IS61C3216AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 32х16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
32 | 16 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| AT21CS11 | Последовательная EEPROM-память объемом 1 Кбит (128 x 8) с однопроводным интерфейсом, с уникальным 64-битным серийным номером |
|
Atmel Corporation |
EEPROM |
128 | 8 | 2.7 ... 4.5 | -40 ... 85 |
SOIC-8 SOT-23-3 |
| AT25160A Automotive | SEEPROM с интерфейсом SPI, расширенным температурным диапазоном и объемом памяти 16К |
|
Atmel Corporation |
SEEPROM |
16 | 8 | 2.7 ... 5.5 | -40 ... 125 |
SOIC-8 |
| MR1A16AC | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 128К х 16 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
128 | 16 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| DS1557W | Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с Y2K-совместимыми часами реального времени |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
PCM-34 |
