+ AT21CS11, Последовательная EEPROM-память объемом 1 Кбит (128 x 8) с однопроводным интерфейсом, с уникальным 64-битным серийным номером
 

AT21CS11 Последовательная EEPROM-память объемом 1 Кбит (128 x 8) с однопроводным интерфейсом, с уникальным 64-битным серийным номером

 

Блок-схема

AT21CS11, Последовательная EEPROM-память объемом 1 Кбит (128 x 8) с однопроводным интерфейсом, с уникальным 64-битным серийным номером
Увеличить

Группа компонентов

EEPROM

Основные параметры

Организация: Слов,K 128
Организация: Разрядов,бит 8
VCC от 2.7 до 4.5
TA,°C от -40 до 85
Корпус SOIC-8 SOT-23-3 WLCSP-4

Общее описание

Отличительные особенности:

  • Действительной 2-выводное запоминающее устройство
    • Одна линии ввода/вывода данных и одна линия "земли"
    • Схема паразитного питания посредством линии ввода/вывода данных
    • Занимает всего один вывод у внешнего хост-устройства (микроконтроллер/процессор/ПЛИС/специализированная ИС)
    • Меньшие размеры корпуса, занимает меньшую площадь печатной платы, упрощает топологию схемы
    • Позволяет с легкостью реализовать функцию идентификации конечного продукта
  • Сверхмалый ток потребления в активном и ждущем режимах
    • Ток потребления в режиме ожидания: 700 нА (тип.) при 25°С
    • Ток потребления в режиме записи: 200 мкА (тип.) при 25°С
    • Ток потребления в режиме чтения: 80 мкА (тип.) при 25°С
    • Потребляет 1/3 от мощности потребления конкурирующих устройств в активном состоянии
    • Продлевает время работы от аккумулятиора
    • Обеспечивает высокую производительность в малопотребляющих системах в режиме высокоскоростной передачи данных
  • Интерфейс I2C
    • Однопроводной интерфейс со структурой протокола I2C
    • Легкость миграции с существующих устройств SEEPROM с I2C интерфейсом
    • Меньшее время задержек и большая пропускная способность
    • Поддерживает подключение до 8 ведомых устройств на общую шину
  • Высокий уровень защиты от электростатических разрядов
    • Соответствует спецификации IEC 61000-4-2 Level 4: ±8 кВ (контактный разряд), ±15 кВ (воздушный разряд)
    • Обеспечивает прямой, незащищенный доступ к линии ввода/вывода данных из внешней среды
  • Инновационная архитектура памяти
    • Четыре независимые области памяти по 256 бит каждая
    • Каждая 256-битная область имеет защиту от несанкционированного доступа путем переключения в состояние "только для чтения"
    • Позволяет пользователю хранить различные типы данных в различных областях памяти и блокировать для записи только необходимые области
  • 256-битный регистр безопасности (дополнительно к 1 Кбит EEPROM)
    • Младшие 8 байт содержат фабрично запрограммированный, только для чтения, 64-битный серийный номер, являющийся уникальным для всех однопроводных устройств компании Atmel
    • Старшие 16 байт могут быть запрограммированы пользователем и заблокированы от дальнейшей перезаписи
  • Диапазон рабочих температур: -40°С...+85°С
  • Доступные корпуса: 3-выводной SOT-23, 8-выводной SOIC, 4-выводной WLCSP
Datasheet
 
AT21CS11 (1.5 Мб), 01.09.2015

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

AT21CS11 Последовательная EEPROM-память объемом 1 Кбит (128 x 8) с однопроводным интерфейсом, с уникальным 64-битным серийным номером (1.5 Мб), 01.09.2015




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 734
Дата публикации: 01.09.2015 11:44
Дата редактирования: 01.09.2015 11:48


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019