Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
AT25DF641A | 64 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.7 В, поблочное стирание (4 кБайт, 32 кБайт или 64 кБайт), побайтная или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт | Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
|
M25PE40 | 4Мб, 75МГц постраничностираемая, побайтноизменяемая последовательная Flash память с интерфейсом SPI | Numonyx |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
|
IS62WV10248BLL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 1Мх8 | ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 8 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
AT26DF321 | Flash память для хранения программного кода из семейства DataFlash емкостью 32 Мбит, напряжением питания 2.7В и последовательным интерфейсом доступа | Atmel Corporation |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-16 SOIC-8 VDFN-8 |
|
IS61NVF51218A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 9Мб 512Кх18 | ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 18 | 2.375 ... 2.75 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
|
AS7C31025C | Асинхронная статическая память 128Кх8 и напряжением питания 3.3В | Alliance Memory |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
DS1345Y | Энергонезависимая SRAM емкостью 1024К со встроенной литиевой батареей | Maxim Integrated |
NVSRAM |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
PCM-34 |
|
IS62C6416AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 64х16 | ISSI |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
CY14V101PS | Быстродействующее энергонезависимое статическое ОЗУ (nvSRAM) ёмкостью 1 Мбит с 4-проводным SPI-интерфейсом и встроенными часами реального времени (RTC) | Cypress |
NVSRAM |
128 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-16 |
|
AT25640A Automotive | SEEPROM с интерфейсом SPI, расширенным температурным диапазоном и объемом памяти 64К | Atmel Corporation |
SEEPROM |
64 | 8 | 2.7 ... 5.5 | -40 ... 125 |
SOIC-8 |
|
BS62UV256 | Высокопроизводительная сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
32 | 8 | 1.8 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
IS64LF25618A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 256Кх18 | ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 18 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 125 |
TQFP-100 |
|
NAND01GW3A2B | 1Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
GS76024A | Асинхронная статическая память объемом 6Мб (256Kx24) | GSI Technology |
High Speed SRAM |
256 | 24 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
CAT24M01 | Последовательная EEPROM с интерфейсом I2C объемом 1 Мбит | ON Semiconductor |
SEEPROM |
131 | 8 | 1.8 ... 5.5 | -40 ... 125 |
DIP-8 SOIC-8 TSSOP-8 |
|
IS64WV5128BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх8 | ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 125 |
|
|
MTFDDAK064MBD | Твердотельный накопитель данных объемом 64 ГБ | Micron |
Твердотельные диски NAND Flash+PSRAM |
- | - | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 | - | |
AT25010A | Высокопроизводительная SEEPROM с интерфейсом SPI и объемом памяти 1К | Atmel Corporation |
SEEPROM |
1 | 8 | 1.8 ... 5.5 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
|
R1LP0408C-7L | 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном | Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
IS61VF25672A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 256Кх72 | ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 72 | 2.375 ... 2.75 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |