Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| AS7C31026B | Асинхронная статическая память 64Кх16 и напряжением питания 3.3В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| DS1350AB | Энергонезависимая SRAM емкостью 4096К со встроенной литиевой батареей |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
512 | 8 | 4.75 ... 5.25 | -40 ... 85 |
PCM-34 |
| IS64C6416AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 64х16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
| S34SL01G2 | Защищенная NAND FLASH память объемом 1 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи |
|
Cypress |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| AT25128A Automotive | SEEPROM с интерфейсом SPI, расширенным температурным диапазоном и объемом памяти 128К |
|
Atmel Corporation |
SEEPROM |
128 | 8 | 2.7 ... 5.5 | -40 ... 125 |
SOIC-8 |
| TC58DVM92A3BAJW | 64М х 8 бит NAND FLASH |
|
Toshiba |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
| BH62UV4000 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 4Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS64VF12832A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 128Кх32 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 32 | 2.375 ... 2.75 | -40 ... 125 |
TQFP-100 |
| NAND01GW4A2B | 1Гбит 3-вольтовая 16-битная NAND Flash |
|
Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| GS78108A | Асинхронная статическая память объемом 8Мб (1M x 8) |
|
GSI Technology |
High Speed SRAM |
1024 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| CAV24C64 | Последовательная EEPROM с интерфейсом I2C объемом 64 Кбит, автомобильного исполнения |
|
ON Semiconductor |
SEEPROM |
8 | 8 | 2.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
SOIC-8 TSSOP-8 |
| M48T37V | Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
32 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS61WV51216ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 16 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| MTFDDAK128MBD | Твердотельный накопитель данных объемом 128 ГБ |
|
Micron |
Твердотельные диски NAND Flash+PSRAM |
- | - | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 | - |
| AT25020A | Высокопроизводительная SEEPROM с интерфейсом SPI и объемом памяти 2К |
|
Atmel Corporation |
SEEPROM |
2 | 8 | 1.8 ... 5.5 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| M5M5W817KT-70HI | 8 Mb SRAM (512К x 16 бит/ 1М х 8 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS61VF51236A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 512Кх36 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 36 | 2.375 ... 2.75 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| CY62157EV30 | Статическая память объемом 8Mb (512Kx16) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| IDT72V05L25JI | 3.3-вольтовая асинхронная FIFO организацией 8K x 9, 25 нс, -40°C...+85°C |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| DS2050W | Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб и напряжением 3.3В |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
