Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXGT60N60C3D1 IGBT-транзистор, 600 В, 60А, частота коммутации 40-100 кГц

 

Блок-схема

IXGT60N60C3D1, IGBT-транзистор, 600 В, 60А, частота коммутации 40-100 кГц

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES,В 600
Рабочий ток: IC,А 60
Рабочий ток: При TC,°C 110
VCE(sat),В 2.2
td(on) (тип.),нс 21
tr (тип.),нс 33
td(off) (тип.),нс 112
tf (тип.),нс 86
EON (тип.),мДж 1.25
EOFF (тип.),мДж 0.8
PD,Вт 380
FWD Да
TA,°C от -55 до 150
Корпус TO-268
Datasheet
 
IXGx60N60C3D1 (238.2 Кб), 13.02.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXGx60N60C3D1 IGBT-транзистор, 600 В, 60А, частота коммутации 40-100 кГц (238.2 Кб), 13.02.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 626 		Дата публикации: 13.02.2012 12:53
Дата редактирования: 13.02.2012 12:54

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники