Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
IXGR32N60CD1 IGBT-транзистор, 600 В, 66 А IXYS IGBT
 600 28 90 2.3 25 25 110 100 1 0.85 140 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXDR30N120 IGBT-транзистор, 1200 В, 50А IXYS IGBT
 1200 30 90 2.4 100 70 500 70 4.6 3.4 200 Нет -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGR50N90B2D1 IGBT-транзистор, 900 В, 40А IXYS IGBT
 900 19 110 2.2 20 28 400 420 1.5 8.7 100 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGR72N60C3D1 IGBT-транзистор, 600 В, 35А, частота коммутации 40-100 кГц IXYS IGBT
 600 35 110 2.1 26 36 120 124 1.48 0.93 200 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGR40N60B2 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 75А IXYS IGBT
 600 33 110 1.9 18 20 240 150 0.3 1.1 167 Нет -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGR72N60B3H1 IGBT-транзистор, 600 В, 40А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
 600 40 110 1.5 29 34 228 142 2.7 2.2 200 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGR50N60B IGBT-транзистор, 600 В, 75А IXYS IGBT
 600 45 110 2.5 50 60 200 250 3 4.2 250 Нет -55 ... 150 ISOPLUS247
IXER20N120D1 IGBT-транзистор, 1200 В, 36А, низкое напряжение насыщения IXYS IGBT
 1200 19 90 2.4 205 105 320 75 4.1 1.5 130 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGR55N120A3H1 IGBT-транзистор, 1200 В, 30А IXYS IGBT
 1200 30 110 2.35 24 46 618 635 9.5 29 200 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGR72N60A3H1 IGBT-транзистор, 600 В, 52А IXYS IGBT
 600 52 110 1.35 29 34 510 375 2.6 6.5 200 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGR12N60C IGBT-транзистор, 600 В, 15 А IXYS IGBT
 600 8 90 2.7 20 20 85 85 0.15 0.27 55 Нет -40 ... 150 ISOPLUS247
IXGR35N120BD1 IGBT-транзистор, 1200 В, 54А IXYS IGBT
 1200 28 110 2.8 45 60 380 400 1.9 8 250 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXDR30N120D1 IGBT-транзистор, 1200 В, 50А IXYS IGBT
 1200 30 90 2.4 100 70 500 70 4.6 3.4 200 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGR32N90B2D1 IGBT-транзистор, 900 В, 47А IXYS IGBT
 900 22 110 2.1 20 22 360 330 3.8 5.75 160 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGR40N60B IGBT-транзистор, 600 В, 70А IXYS IGBT
 600 35 90 1.6 25 30 300 270 0.4 4 200 Нет -40 ... 150 ISOPLUS247
IXGR48N60C3D1 IGBT-транзистор, 600 В, 56А IXYS IGBT
 600 26 110 2.3 19 26 92 95 0.65 0.57 125 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGR40N60B2D1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 75А IXYS IGBT
 600 33 110 1.9 18 20 240 150 0.3 1.1 167 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXA55I1200HJ IGBT-транзистор, 1200 В, 84 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 1200 54 90 1.8 70 40 250 100 4.5 5.5 290 Нет -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGR50N60BD1 IGBT-транзистор, 600 В, 75А IXYS IGBT
 600 45 110 2.5 50 60 200 250 3 4.2 250 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGR32N170AH1 IGBT-транзистор, 1700 В, 26А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 14 90 4.2 48 59 300 70 5 2.4 200 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 50 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники