Компоненты группы IGBT-транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VCES В |
Рабочий ток | VCE(sat) В |
td(on) (тип.) нс |
tr (тип.) нс |
td(off) (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
EON (тип.) мДж |
EOFF (тип.) мДж |
PD Вт |
FWD | TA °C |
Корпус | ||
IC А |
При TC °C |
|||||||||||||||||
IXGR50N160H1 | IGBT-транзистор, 1500 В, 36А, низкое напряжение насыщения, технология NPT | IXYS |
IGBT |
1600 | 36 | 110 | 1.95 | 52 | 140 | 240 | 4600 | - | - | 240 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXGR32N60C | IGBT-транзистор, 600 В, 45А | IXYS |
IGBT |
600 | 26 | 110 | 2.3 | 25 | 25 | 110 | 105 | 0.3 | 0.85 | 140 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXGR50N60C2D1 | IGBT-транзистор, 600 В, 75А | IXYS |
IGBT |
600 | 36 | 110 | 2.7 | 18 | 25 | 170 | 60 | 1.4 | 0.74 | 200 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXGX32N170AH1 | IGBT-транзистор, 1700 В, 32А, технология NPT | IXYS |
IGBT |
1700 | 21 | 90 | 4 | 27 | 47 | 280 | 82 | 5.2 | 1.7 | 350 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXGR39N60B | IGBT-транзистор, 600 В, 66 А | IXYS |
IGBT |
600 | 35 | 110 | 1.8 | 25 | 30 | 360 | 350 | 0.3 | 6 | 140 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXA17IF1200HJ | IGBT-транзистор, 1200 В, 28 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) | IXYS |
IGBT |
1200 | 18 | 90 | 1.8 | 70 | 40 | 250 | 100 | 1.55 | 1.7 | 100 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXGR120N60C2 | IGBT-транзистор, 600 В, 60А | IXYS |
IGBT |
600 | 60 | 110 | 2.1 | 40 | 60 | 165 | 92 | 2.1 | 1.24 | 300 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXGR60N60C3C1 | IGBT-транзистор, 600 В, 30А, частота коммутации 40-100 кГц | IXYS |
IGBT |
600 | 30 | 110 | 2.2 | 23 | 39 | 112 | 86 | 0.78 | 0.8 | 170 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXGR50N60B2 | IGBT-транзистор, 600 В, 68А | IXYS |
IGBT |
600 | 36 | 110 | 1.8 | 18 | 25 | 290 | 140 | 0.9 | 1.55 | 200 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXGR40N60C2D1 | IGBT-транзистор, 600 В, 56А | IXYS |
IGBT |
600 | 26 | 110 | 2.2 | 18 | 20 | 130 | 80 | 0.6 | 0.5 | 170 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXGR24N120C3D1 | IGBT-транзистор, 1200 В, 48А, частота коммутации 20...50 кГц | IXYS |
IGBT |
1200 | 24 | 100 | 3.6 | 17 | 37 | 125 | 305 | 2.9 | 1.8 | 200 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXGR6N170A | IGBT-транзистор, 1700 В, 5.5А, технология NPT | IXYS |
IGBT |
1700 | 2.5 | 110 | 7 | 48 | 43 | 230 | 41 | 0.62 | 0.25 | 50 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXGR32N170H1 | IGBT-транзистор, 1700 В, 38А, технология NPT | IXYS |
IGBT |
1700 | 20 | 90 | 2.6 | 48 | 42 | 360 | 560 | 6 | 13.6 | 200 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXGR39N60BD1 | IGBT-транзистор, 600 В, 66 А | IXYS |
IGBT |
600 | 35 | 110 | 1.8 | 25 | 30 | 360 | 350 | 1 | 6 | 140 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXXR110N65B4H1 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 70 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) | IXYS |
IGBT |
650 | 70 | 110 | 2.2 | 38 | 46 | 156 | 85 | 2.2 | 1.05 | 455 | Да | -55 ... 175 |
|
|
IXGR60N60C3D1 | IGBT-транзистор, 600 В, 30А, частота коммутации 40-100 кГц | IXYS |
IGBT |
600 | 30 | 110 | 2.2 | 21 | 33 | 112 | 86 | 1.25 | 0.8 | 170 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXGR50N60B2D1 | IGBT-транзистор, 600 В, 68А | IXYS |
IGBT |
600 | 36 | 110 | 1.8 | 18 | 25 | 290 | 140 | 0.9 | 1.55 | 200 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXGR72N60B3D1 | IGBT-транзистор, 600 В, 40А | IXYS |
IGBT |
600 | 40 | 110 | 1.5 | 29 | 34 | 228 | 142 | 2.7 | 2.2 | 200 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IXER60N120 | IGBT-транзистор, 1200 В, 95А, низкое напряжение насыщения, технология NPT | IXYS |
IGBT |
1200 | 60 | 90 | 2.1 | 80 | 50 | 680 | 30 | 7.2 | 4.8 | 375 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXGR40N60C2 | IGBT-транзистор, 600 В, 56А | IXYS |
IGBT |
600 | 26 | 110 | 2.2 | 18 | 20 | 130 | 80 | 0.3 | 0.5 | 170 | Нет | -55 ... 150 |
|