Компоненты группы IGBT-транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В
Рабочий ток VCE(sat)
В
td(on) (тип.)
нс
tr (тип.)
нс
td(off) (тип.)
нс
tf (тип.)
нс
EON (тип.)
мДж
EOFF (тип.)
мДж
PD
Вт
FWD TA
°C
Корпус
IC
А
При TC
°C
                                     
IXGR50N160H1 IGBT-транзистор, 1500 В, 36А, низкое напряжение насыщения, технология NPT IXYS IGBT
1600 36 110 1.95 52 140 240 4600 - - 240 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGR32N60C IGBT-транзистор, 600 В, 45А IXYS IGBT
600 26 110 2.3 25 25 110 105 0.3 0.85 140 Нет -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGR50N60C2D1 IGBT-транзистор, 600 В, 75А IXYS IGBT
600 36 110 2.7 18 25 170 60 1.4 0.74 200 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGX32N170AH1 IGBT-транзистор, 1700 В, 32А, технология NPT IXYS IGBT
1700 21 90 4 27 47 280 82 5.2 1.7 350 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGR39N60B IGBT-транзистор, 600 В, 66 А IXYS IGBT
600 35 110 1.8 25 30 360 350 0.3 6 140 Нет -55 ... 150 ISOPLUS247
IXA17IF1200HJ IGBT-транзистор, 1200 В, 28 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
1200 18 90 1.8 70 40 250 100 1.55 1.7 100 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGR120N60C2 IGBT-транзистор, 600 В, 60А IXYS IGBT
600 60 110 2.1 40 60 165 92 2.1 1.24 300 Нет -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGR60N60C3C1 IGBT-транзистор, 600 В, 30А, частота коммутации 40-100 кГц IXYS IGBT
600 30 110 2.2 23 39 112 86 0.78 0.8 170 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGR50N60B2 IGBT-транзистор, 600 В, 68А IXYS IGBT
600 36 110 1.8 18 25 290 140 0.9 1.55 200 Нет -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGR40N60C2D1 IGBT-транзистор, 600 В, 56А IXYS IGBT
600 26 110 2.2 18 20 130 80 0.6 0.5 170 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGR24N120C3D1 IGBT-транзистор, 1200 В, 48А, частота коммутации 20...50 кГц IXYS IGBT
1200 24 100 3.6 17 37 125 305 2.9 1.8 200 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGR6N170A IGBT-транзистор, 1700 В, 5.5А, технология NPT IXYS IGBT
1700 2.5 110 7 48 43 230 41 0.62 0.25 50 Нет -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGR32N170H1 IGBT-транзистор, 1700 В, 38А, технология NPT IXYS IGBT
1700 20 90 2.6 48 42 360 560 6 13.6 200 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGR39N60BD1 IGBT-транзистор, 600 В, 66 А IXYS IGBT
600 35 110 1.8 25 30 360 350 1 6 140 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXXR110N65B4H1 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 70 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
650 70 110 2.2 38 46 156 85 2.2 1.05 455 Да -55 ... 175 ISOPLUS247
IXGR60N60C3D1 IGBT-транзистор, 600 В, 30А, частота коммутации 40-100 кГц IXYS IGBT
600 30 110 2.2 21 33 112 86 1.25 0.8 170 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGR50N60B2D1 IGBT-транзистор, 600 В, 68А IXYS IGBT
600 36 110 1.8 18 25 290 140 0.9 1.55 200 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGR72N60B3D1 IGBT-транзистор, 600 В, 40А IXYS IGBT
600 40 110 1.5 29 34 228 142 2.7 2.2 200 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXER60N120 IGBT-транзистор, 1200 В, 95А, низкое напряжение насыщения, технология NPT IXYS IGBT
1200 60 90 2.1 80 50 680 30 7.2 4.8 375 Нет -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGR40N60C2 IGBT-транзистор, 600 В, 56А IXYS IGBT
600 26 110 2.2 18 20 130 80 0.3 0.5 170 Нет -55 ... 150 ISOPLUS247
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 50 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019