Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
STGW30N90D Высокоскоростной IGBT-транзистор на 900 В, 30 А STMicroelectronics IGBT
 900 30 100 2.75 29 11 275 312 1660 4438 220 Да -55 ... -150 TO-247
STGF10NC60HD Сверхскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 10 А STMicroelectronics IGBT
 600 6 100 1.7 14.2 5 72 85 31.8 95 24 Да -55 ... 150 TO-220FP
STGD10NC60SD Быстрый IGBT-транзистор на 600 В, 10 А STMicroelectronics IGBT
 600 10 100 1.65 19 4 160 205 50 290 60 Да -55 ... -150 D-PAK
STGF19NC60KD IGBT-транзистор на 600 В, 20 А с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
 600 10 100 2.75 30 8 105 85 165 255 32 Да -55 ... -150 TO-220FP
STGW35NB60S N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 35 А STMicroelectronics IGBT
 600 35 100 1.7 92 70 1100 790 0.84 7.4 200 Нет -55 ... -150 TO-247
STGB20NB37LZ IGBT-транзистор на 400 В, 20 А STMicroelectronics IGBT
 400 20 100 1.35 2300 600 2000 11500 8800 11800 200 Нет -55 ... 175 D2-PAK
STGB8NC60KD IGBT-транзистор на 600 В, 8 А с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
 600 8 100 2.75 17 6 72 82 55 85 65 Да -55 ... -150 D2-PAK
STGF10NC60KD 600 В, 10 А, IGBT-транзистор с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
 600 6 100 1.8 17 6 72 82 55 85 25 Да -55 ... 150 TO-220FP
STGP7NC60H N-канальный высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 14 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
 600 14 100 2.5 18.5 8.5 72 60 95 115 80 Нет -65 ... -150 TO-220
STGP20NC60V Высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 30 А STMicroelectronics IGBT
 600 30 100 2.5 31 11 100 75 220 330 200 Нет -55 ... -150 TO-220
STGW45NC60WD Ультрабыстродействующий IGBT-транзистор на 600 В, 45 А STMicroelectronics IGBT
 600 45 100 2.6 33 12 168 36 302 349 285 Да -55 ... -150 TO-247
STGD10HF60KD IGBT-транзистор на 600 В, 10 А, с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
 600 10 - 1.6 - - - - - - 80 Да -40 ... 175 D-PAK
STGBL6NC60DI Ультрабыстрый IGBT-транзистор на 600 В, 6 А STMicroelectronics IGBT
 600 6 100 2.9 6.7 3.7 46 47 32 24 56 Да -55 ... -150 D2-PAK
STGDL6NC60DI Ультрабыстрый IGBT-транзистор на 600 В, 6 А STMicroelectronics IGBT
 600 5 100 2.9 6.7 3.7 46 47 32 24 50 Да -55 ... -150 D-PAK
STGB19NC60HD Ультрабыстрый IGBT-транзистор на 600 В, 19 А STMicroelectronics IGBT
 600 19 100 2.5 25 7 97 73 85 189 130 Да -55 ... -150 D2-PAK
STGW19NC60WD N-канальный ультраскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 19 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
 600 23 100 2.5 25 7 90 43 81 125 125 Да -55 ... -150 TO-247
STGW45HF60WDI Ультрабыстрые IGBT транзисторы на 45А, 600В STMicroelectronics IGBT
 600 50 100 1.9 - - - - - - 310 Да -55 ... 150 TO-247
TO-247LL
STGP6NC60HD N-канальный, высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 7 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
 600 7 100 2.5 12 5 76 100 20 68 56 Да -55 ... -150 TO-220
STGW30NC120HD N-канальный высокоскоростной IGBT-транзистор на 1200 В, 30 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
 1200 30 100 2.75 29 11 275 312 1660 4438 220 Да -55 ... -150 TO-247
STGP10NC60HD Сверхскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 10 А STMicroelectronics IGBT
 600 10 100 1.7 14.2 5 72 85 31.8 95 65 Да -55 ... 150 TO-220
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 50 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники