Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
IXGT22N170 IGBT-транзистор, 1700 В, 40А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 22 90 2 50 55 - - 2 - 210 Нет -55 ... 150 TO-268
IXGF25N250 IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 30А IXYS IGBT
 2500 15 110 2.9 68 233 209 200 - - 114 Нет -55 ... 150 ISOPLUS_i4
IXGN400N30A3 IGBT-транзистор, 300 В, 400 А, частота коммутации 10кГц IXYS IGBT
 300 200 110 1.15 47 53 240 315 - - 735 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IXBX55N300 Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 55А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 3000 55 110 2.7 52 585 215 260 - - 625 Да -55 ... 150 PLUS247
IXGH22N170 IGBT-транзистор, 1700 В, 40А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 22 90 2 50 55 - - 2 - 210 Нет -55 ... 150 TO-247AD
MMIX4G20N250 IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 23А, конфигурация H-Bridge IXYS IGBT
 2500 14 90 3.1 57 160 136 930 - - 100 Нет -55 ... 150 SMD
STGW45HF60WDI Ультрабыстрые IGBT транзисторы на 45А, 600В STMicroelectronics IGBT
 600 50 100 1.9 - - - - - - 310 Да -55 ... 150 TO-247
TO-247LL
IXGK400N30A3 IGBT-транзистор, 300 В, 400 А, частота коммутации 10кГц IXYS IGBT
 300 200 110 1.15 47 53 240 315 - - 1000 Нет -55 ... 150 TO-264
IXBK55N300 Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 55А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 3000 55 110 2.7 52 585 215 260 - - 625 Да -55 ... 150 TO-264
IXGF20N250 IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 23А IXYS IGBT
 2500 14 90 3.1 57 160 136 930 - - 100 Нет -55 ... 150 ISOPLUS_i4
STGW45HF60WD Ультрабыстрые IGBT транзисторы на 45А, 600В STMicroelectronics IGBT
 600 45 100 1.9 - - - - - - 250 Да -55 ... 150 TO-247
IXGN400N60A3 IGBT-транзистор, 600 В, 400А IXYS IGBT
 600 190 110 1.05 27 98 190 650 - - 830 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IXGX400N30A3 IGBT-транзистор, 300 В, 400 А, частота коммутации 10кГц IXYS IGBT
 300 200 110 1.15 47 53 240 315 - - 1000 Нет -55 ... 150 PLUS247
IXBF55N300 Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 28А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 3000 28 110 2.7 52 585 215 260 - - 290 Да -55 ... 150 ISOPLUS_i4
IXBT16N170 Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 16А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1700 16 90 3.3 37 183 235 705 - - 250 Да -55 ... 150 TO-268
IXBT32N300 Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 32А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 3000 32 110 2.8 58 515 165 630 - - 400 Да -55 ... 150 TO-268
IXBH16N170 Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 16А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1700 16 90 3.3 37 183 235 705 - - 250 Да -55 ... 150 TO-247
IXBH32N300 Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 32А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 3000 32 110 2.8 58 515 165 630 - - 400 Да -55 ... 150 TO-247
IXBT20N300 Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 20А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 3000 20 110 2.7 68 540 300 395 - - 250 Да -55 ... 150 TO-268
IXGT2N250 IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 2А IXYS IGBT
 2500 2 110 2.6 26 89 74 204 - - 32 Нет -55 ... 150 TO-268
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 50 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники