Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
IXGA12N100AU1 IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
 1000 12 90 4 100 200 950 1250 1.1 8 100 Да -55 ... 150 TO-263
IXGA12N100U1 IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
 1000 12 90 3.5 100 200 900 1250 1.1 10 100 Да -55 ... 150 TO-263
IXGH12N100AU1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
 1000 12 90 4 100 200 900 950 1.1 2.2 100 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXSM35N100A Высокоскоростной IGBT-транзистор, 1000 В, 70А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 600 35 90 3.5 100 200 400 1300 4.2 15 300 Нет -55 ... 150 TO-204AE
IXGH12N100U1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
 1000 12 90 3.5 100 200 900 1250 1.1 3.5 100 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXSH35N100A Высокоскоростной IGBT-транзистор, 1000 В, 70А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 600 35 90 3.5 100 200 400 1300 4.2 15 300 Нет -55 ... 150 TO-247AD
NGTB15N135IHR IGBT-транзистор для индукционных нагревателей, 1350 В, 15А ON Semiconductor IGBT
 1350 15 100 2.65 170 200 190 290 0.42 0.95 178 Да -55 ... 175 TO-247
IXBH42N170 Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 42А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1700 42 90 2.8 36 188 330 740 - - 360 Да -55 ... 150 TO-247
IXBT42N170 Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 42А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1700 42 90 2.8 36 188 330 740 - - 360 Да -55 ... 150 TO-268
IXBR42N170 Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 32А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1700 32 90 2.9 36 188 330 740 - - 200 Да -55 ... 150 SOT-227 B
IXGF36N300 IGBT-транзистор высокого напряжения, 3000 В, 36А IXYS IGBT
 3000 18 110 2.7 36 185 215 540 - - 160 Нет -55 ... 150 ISOPLUS_i4
NGTB15N120IHWG IGBT-транзистор, 1200 В, 15А ON Semiconductor IGBT
 1200 15 100 2.45 130 185 145 240 0.36 0.65 139 Да -55 ... 175 TO-247
IXBT16N170 Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 16А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1700 16 90 3.3 37 183 235 705 - - 250 Да -55 ... 150 TO-268
IXBH16N170 Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 16А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1700 16 90 3.3 37 183 235 705 - - 250 Да -55 ... 150 TO-247
NGTB15N120IHR IGBT-транзистор для индукционных нагревателей, 1200 В, 15А ON Semiconductor IGBT
 1200 15 100 2.5 170 177 190 255 0.34 0.74 166 Да -55 ... 175 TO-247
NGTB20N135IHR IGBT-транзистор для индукционных нагревателей, 1350 В, 20А ON Semiconductor IGBT
 1350 20 100 2.65 245 175 270 290 0.6 1.4 197 Да -55 ... 175 TO-247
STGD5NB120SZ-1 Внутреннезамкнутый IGBT-транзистор на 1200 В, 5 А STMicroelectronics IGBT
 1200 5 100 2 690 170 12100 1130 2.59 9 75 Нет -55 ... -150 I-PAK
IXST40N60B Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 75А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 600 40 90 2.2 55 170 190 180 1.7 2 280 Нет -55 ... 150 TO-268
IXSH40N60B Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 75А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 600 40 90 2.2 55 170 190 180 1.7 2 280 Нет -55 ... 150 TO-247AD
STGD5NB120SZT4 Внутреннезамкнутый IGBT-транзистор на 1200 В, 5 А STMicroelectronics IGBT
 1200 5 100 2 690 170 12100 1130 2.59 9 75 Нет -55 ... -150 D-PAK
Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ... 50 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники