Компоненты группы IGBT-транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VCES В |
Рабочий ток | VCE(sat) В |
td(on) (тип.) нс |
tr (тип.) нс |
td(off) (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
EON (тип.) мДж |
EOFF (тип.) мДж |
PD Вт |
FWD | TA °C |
Корпус | ||
| IC А |
При TC °C |
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IXGH60N60C3D1 | IGBT-транзистор, 600 В, 60А, частота коммутации 40-100 кГц |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 60 | 110 | 2.2 | 21 | 33 | 112 | 86 | 1.25 | 0.8 | 380 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXBT20N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 20А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
3000 | 20 | 110 | 2.7 | 68 | 540 | 300 | 395 | - | - | 250 | Да | -55 ... 150 |
|
| FGH15T120SMD | IGBT-транзистор с максимальным напряжением коллектор-эмиттер 1200 В, выполненный по технологии Field Stop Trench |
|
Fairchild Semiconductor |
IGBT |
1200 | 15 | 100 | 1.9 | 32 | 47 | 490 | 12 | 1.15 | 0.46 | 167 | Да | -55 ... 175 |
|
