Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 38 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
IXXH30N60B3D1 IGBT-транзистор, 600 В, 30 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 5...30 кГц IXYS IGBT
 600 30 110 1.66 23 34 112 180 1.1 0.7 270 Да -55 ... 175 TO-247AD
IXXH110N65C4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 110 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 110 110 2.35 35 46 143 30 2.3 0.6 880 Нет -55 ... 175 TO-247AD
IXXN110N65B4H1 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 110 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 110 110 2.1 38 46 156 85 2.2 1.05 750 Да -55 ... 175 SOT-227 B
IXXN110N65C4H1 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 110 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 110 110 2.35 35 46 143 30 2.3 0.6 750 Да -55 ... 175 SOT-227 B
IXXH80N65B4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 80 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 80 110 2 38 90 120 63 3.77 1.2 625 Нет -55 ... 175 TO-247AD
IXXH80N65B4H1 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 80 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 80 110 2 38 90 120 63 3.77 1.2 625 Да -55 ... 175 TO-247AD
IXXH40N65B4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 40 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 40 110 1.8 28 53 144 54 1.4 0.56 455 Нет -55 ... 175 TO-247AD
IXYH24N90C3 IGBT-транзистор, 900 В, 24 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц IXYS IGBT
 900 24 110 2.3 22 38 85 130 2.6 0.55 240 Нет -55 ... 175 TO-247
IXXR110N65B4H1 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 70 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 70 110 2.2 38 46 156 85 2.2 1.05 455 Да -55 ... 175 ISOPLUS247
IXYP8N90C3D1 IGBT-транзистор, 900 В, 8 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц IXYS IGBT
 900 8 110 2.15 17 22 75 163 1 0.22 125 Да -55 ... 175 TO-220
IXXH60N65C4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 60 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 60 110 2.2 37 78 133 30 3.2 0.83 455 Нет -55 ... 175 TO-247AD
IXYP8N90C3 IGBT-транзистор, 900 В, 8 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц IXYS IGBT
 900 8 110 2.15 17 22 75 163 1 0.22 120 Нет -55 ... 175 TO-220
IXXH60N65B4H1 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 60 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 60 110 2 37 80 145 72 3.13 1.15 380 Да -55 ... 175 TO-247AD
IXXH60N65B4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 60 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 60 110 2 37 80 145 72 3.13 1.15 455 Нет -55 ... 175 TO-247AD
IXYY8N90C3 IGBT-транзистор, 900 В, 8 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц IXYS IGBT
 900 8 110 2.15 17 22 75 163 1 0.22 120 Нет -55 ... 175 TO-252
IXXH30N65B4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 30 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 30 110 2 32 62 170 57 1.55 0.48 230 Нет -55 ... 175 TO-247AD
IXXX200N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 200 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 10...30 кГц IXYS IGBT
 600 200 110 1.4 46 94 180 215 4.4 3.45 1630 Нет -55 ... 175 PLUS247
IXYX120N120C3 IGBT-транзистор, 1200 В, 120 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц IXYS IGBT
 1200 120 110 3.5 37 70 167 90 6.2 4.2 1500 Нет -55 ... 175 PLUS247
IXXK200N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 200 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 10...30 кГц IXYS IGBT
 600 200 110 1.4 46 94 180 215 4.4 3.45 1630 Нет -55 ... 175 TO-264
IXYK120N120C3 IGBT-транзистор, 1200 В, 120 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц IXYS IGBT
 1200 120 110 3.5 37 70 167 90 6.2 4.2 1500 Нет -55 ... 175 TO-264
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 38 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники